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海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTX6N200P3HV场效应管

2020-3-9 15:36:41 971

0 ` 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTX6N200P3HV场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 2000 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 960 W 配置: Single 商标名: Polar3 封装: Tube 产品: Power MOSFET Modules 类型: High Voltage 商标: IXYS 下降时间: 46 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 22 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 28 ns MOS管开关 MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于MOSFET 为截止，饱和，变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs < Vt时，MOSFET处于截止状态，即截止区。当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt时，为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区。如果忽略沟道的长度调制效应，MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。通常用其作为放大区域使用（类比BJT的放大去）。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流过较大的电流。利用 MOSFET截止区和变阻区的特性，就可以将 MOSFET 应用于逻辑或功率开关。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-9 15:36:41　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTX4N300P3HV场效应管 506 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH3N200P3HV场效应管 594 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH6N120P场效应管 464 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTX1R4N450HV场效应管 672 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH2N300P3HV场效应管 1222 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH26N50P场效应管 1076 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH36N60P场效应管 509 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTQ22N60P场效应管 562 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH48P20P场效应管 692 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH16P60P场效应管 671