海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXFH120N30X3场效应管

`
海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXFH120N30X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
威廉希尔官方网站 : Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AD-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 170 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 60 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 30 ns

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的关键组件。双极晶体管和 MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET 必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和 MOSFET 器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为 20 至 200 皮秒，具体取决于器件大小。

MOSFET 器件在高频开关应用中使用应用非常重要。
MOSFET 晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦MOSFET 晶体管开通，它的驱动电流几乎为零。而且，控制电荷大量减少，MOSFET 晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题，而开通状态压降与控制电荷成反比。因此，与双极器件相比，MOSFET 威廉希尔官方网站 预示着使用更简单且更高效的驱动电路带来显著的经济效益。

`