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检测和动作之间存在时差
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场管烧了就说明功率不够大,你可以换个大点的场管。不想换就降低一下过流触发点,R3增大点。如果还不想降低过流触发点,那就去掉C3吧尝试一下吧,这个C3主要作用是过流触发时的延时。
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输出后面加一个电感
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表示电路俺完全看不懂。。。。。。
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期待整理发出的文件
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本帖最后由 bigbigmule 于 2020-2-25 13:26 编辑
简要的汇总下这个问题,根据现象描述,1.在MOS完全开启后,负载短路,MOS OK,短路保护电路有响应;2.MOS未开启,负载短路,短路保护电路无响应,MOS损坏。这两条可以总结为一条疑问,MOS完全开启与从未开启到开启这两者的区别是啥? 我们从功率的角度进行分析,针对MOS完全开启后,MOS的导通阻抗R较小,DS间的电压受I1与R影响,P1= I1* I1*R;针对mos由未开启到开启这个过程,存在一个米勒平台的问题,在米勒平台期间,DS间电压与导通阻抗以及电流无关,最大是输入的电压(本题是24V),那么这个米勒平台期间的损耗P2 = U * I2。功率计算完了,讨论下I1 与 I2,对这个电路而言I1电流最大只能是保护电路响应的电流,可以依据BJT开启的电压进行计算I1的大小;I2则是mos最大可允许的电流需要依据MOS的耗散功率计算,从结果看I2要小于I1。所以要解决目前你遇到的这个问题,需要综合考量I1 & MOS的耗散功率情况,最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS(具体多大可以计算得来),如果是批次生产,注意器件的一致性情况保证设计有足够余量! |
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最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS,注意器件的一致性情况保证设计有足够余量!
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首先这电路限流是可以实现的,当采样电阻两端电压到达三极管导通电压时,能起到限流作用,但MOS管处于高频的开关状态,开关损耗会很大,体现为发热很严重,需保证散热。
第二是当短路时,MOS管也是处于高频的开关状态,但这时电流太大了,接近于短路,一般MOS管Vds在30V情况 下,短路的电流持续时间最大为50us,所以会烧管子。若短路时可以接个触发器,直接关断输出,知道再一次上电时重置,或许还有其他不加触发器的解决办法 |
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