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最近在学习开关电源，有一些疑问希望有大神来给小弟解答一下。先交代一下情况，300-460VAC输入，24V,24V,12V,5V四路输出，100KHZ频率，48W输出功率。
1.MOSFET我选择的1000V，2.2A（耐压，漏极电流）规格，不知是否可行? 2.当我按1000V耐压来计算时，取20%裕量，那么反激电压是150V，那么此时的最大占空比算出来只有0.19，效率极低； 但如果我先取0.45的理想占空比进行反向计算的话，反激电压将达到惊人的530V，此时的匝数比将极大，漏感也大，吸收电路消耗功率也大，mosfet耐压也需要提升到1500V左右。请问此时最好的选择是怎样的，折中选择的话是否有较好的方案。 望各位大佬指点！ 
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3个回答
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是否有实际电路结合一起分析呢
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楼主晒图再说
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在MOS 的耐压1200V的情况下考虑反射电压，折中吧，提高效率就用QR芯片
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2020-11-27 02:55:44
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IGBT双脉冲测试过程中，第一个脉冲关断时候出现电压抬高的现象，导致炸管了 ，怎么办
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