[问答]

ITO导电膜有哪些特性？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率与导电镀率约成反比之关系；例如，当镀膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光率可达80%,但若透光率欲达到90%以上，则面电阻必须提高至100Ω/sq以上。 2
2019-11-6 09:01:36　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答 oduwqoiud 该类别下有 5 个回答。邀请回答子璇ALICE 该类别下有 5 个回答。邀请回答 yweyffdsw 该类别下有 5 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wei296 该类别下有 5 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 5 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user79 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报罗敏相关推荐 • 透明导电膜有哪些应用？ 3647 • 透明导电膜玻璃有什么用途？ 3684 • 导电胶膜有哪些应用领域？ 2671 • ITO有哪些特征？LCD在生产组装过程中有哪些主要事项啊？ 1947 • ITO薄膜的基本性能是什么？ 2310 • 方块电阻的概念及特性 4004 • 什么是OSP膜？OSP膜有什么优点？ 5714 • 透明导电薄膜结构是怎么样的？ 1100 • 导电银胶有什么分类？ 1468 • 请问一下二极管的单向导电特性有什么好处呢？ 13529 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 目录 ITO导电膜的特性 ITO导电膜的应用 ITO导电膜的制备 ITO导电膜的特性　　金属特性　　金属导电的原因：金属键之键结力不强，电子受到外加电位即可自由运动，形成电子流。　　金属不透明的原因：光波被高密度之电子吸收与反射。　　氧化物特性　　氧化物绝缘的原因：氧化物为金属与氧气反应形成共价键，键结中无自由电子，因此不导电。　　氧化物透明的原因：原子键结的空隙中无自由电子，故光波可穿透氧化物结构。　　透明导电氧化物　　氧化物结构中含有氧原子之缺陷，使自由电子可在这些缺陷中运动，因此可以导电，但由於自由电子之密度不高，因此导电率不如金属。　　由於自由电子之密度不高，因此可以透光，但透光率不如致密氧化物。　　透光率与导电率之关系　　ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率与导电镀率约成反比之关系；例如，当镀膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光率可达80%,但若透光率欲达到90%以上，则面电阻必须提高至100Ω/sq以上。 ITO导电膜的应用　　近年来，ITO导电膜被广泛应用在LCD屏幕和触控面板，ITO导电膜还被用作飞机座舱玻璃散射雷达波的隐身涂层 , 将雷达波散射到非有效空间方向 , 从而缩减了飞机座舱的雷达散射截面 RCS.此外，在液晶显示、气体放电、电致发光器件以及太阳能电池、建筑玻璃等方面 , ITO导电膜也得到了应用。 ITO导电膜的制备　　用直流反应磁控溅射法在无机玻璃上镀制 ITO 膜。溅射时基片不加热 , 溅射后进行空气退火和真空退火。采用由J S - 450 型改造而成的溅射设备 , 溅射室内水平安装直径为300mm的圆形平面磁控溅射靶阴极（在上方）和放置基片的可旋转试样台（在下方） .靶阴极与 d1c高压电源的负极相联 , 试样台与正极相联并接地。In - Sn 合金靶由高纯 In（991999 %In）和高纯 Sn （991999 %Sn）制成 , 成分为 92 %In （wt ） + 8 %Sn （wt ） , 靶片直径 280mm.由于制备的试样尺寸较小 , 通过屏蔽的方法只允许直径 170mm 的靶面工作。　　用 5mm厚的 K9 玻璃作基片 , 尺寸为 30mm ×30mm2和 10mm ×2218mm2两种。高纯Ar作放电气体 , 高纯 O2作为反应气体 , 用 ZZK - 1 型压强自动控制仪控制气体总压强 ,用D07 型质量流量计控制 O2浓度。溅射室总压强为 110Pa , O2浓度变化范围 9. 5 %~12.5 % , 溅射功率85W , 溅射时间根据对膜的厚度要求而定。通过辉光放电 , 使部分Ar 原子电离 , 还有较高功能的 Ar 离子将 In - Sn 合金靶表面的原子溅射下来。被溅射下来的 In、Sn原子和处于激发状态的氧离子发生反应 , 生成 In - Sn 氧化物膜 , 即 ITO 膜。本实验由于基片不加热 , 沉积速率高 , 氧化反应不充分 , 生成的膜中含有黑色低价氧化物 InO 和SnO.这时 ITO 膜的透明性和导电性均不佳 , 必须进行镀后退火 , 使其转化成透明性和导电性都很好的高价氧化物 In2O3 - SnO2. 　　反应溅射后分别在空气中和真空中进行退火。退火温度 450~500 ℃，保温时间 1~115h.

2019-11-6 10:49:46 评论举报汤玉荣