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目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!
附件是海飞乐威廉希尔官方网站 碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购! 碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件,应用于硅器件难以胜任的场合,或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。 肖特基势垒二极管(SBD)作为一种单极性器件,在导通过程中没有额外载流子注入和储存,因而基本没有反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快的开关速度、高结温承受能力、高电流密度和更高的功率密度,SiC PiN二极管在电力设备、能量储备、超高压固态电源领域扮演更重要的角色。 ` |
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