[问答]

RF MEMS元器件有哪些类别？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 早在1979年，微电子机械开关就被用于转换低频电信号。从那时开始，开关设计就采用悬臂、旋转和隔膜的布局来实现RF和微波频率下的良好性能。RF MEMS表现出低损耗、低功耗和没有互调失真。对于有微秒开关速度就足够的应用来说，这些器件用于取代传统FET或p-i-n二极管开关极有吸引力。 0
2019-10-21 07:38:31　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × cmh22 该类别下有 10 个回答。邀请回答 Dockert 该类别下有 10 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 9 个回答。邀请回答 milly888 该类别下有 9 个回答。邀请回答 testd012 该类别下有 9 个回答。邀请回答 wupei1024 该类别下有 9 个回答。邀请回答报纸弟弟麦花该类别下有 9 个回答。邀请回答 nvhwyrwerw 该类别下有 9 个回答。邀请回答 wyerwwr 该类别下有 8 个回答。邀请回答 hanyan533 该类别下有 8 个回答。邀请回答 scmywkf 该类别下有 8 个回答。邀请回答 st94wo 该类别下有 8 个回答。邀请回答 04860860686 该类别下有 8 个回答。邀请回答 vtwterwer 该类别下有 8 个回答。邀请回答 kingnet_52040 该类别下有 8 个回答。邀请回答 wuerywds 该类别下有 7 个回答。邀请回答 h1654155275.6372 该类别下有 7 个回答。邀请回答 cmklsa 该类别下有 7 个回答。邀请回答 AnnSlut 该类别下有 7 个回答。邀请回答 uwuefsdf 该类别下有 7 个回答。邀请回答举报杨悟牛相关推荐 • digipcba在explorer选项创建的元器件类别无法在components显示出来 11359 • 什么是RF MEMS？有哪些关键威廉希尔官方网站与器件？ 4389 • proteus里面的元器件如何取舍 3003 • RF-MEMS系统元件封装问题 1743 • RF MEMS开关的设计模拟 2771 • 东芝可变容量型RF MEMS 2218 • 请问ST MEMS麦克风的RF抗扰度是多少？塑料包装如何抑制辐射干扰？ 2516 • 电子元器件有哪些用途 8287 • 国产的电子元器件与进口的元器件 13865 • MEMS器件可以满足物联网应用的哪些需求？ 1810 2个回答

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2019-10-21 15:47:28 评论举报头像被屏蔽

答案对人有帮助，有参考价值 0 3. 有源RF MEMS元器件有源RF MEMS器件主要是RF开关。RF MEMS开关可按两种方式分类：起动机制和接触类型。要实现开关动作有多种方式。其中一些起动方法包括：静电、热、磁和铁电。到目前为止最常用的是静电起动，因为它的功耗低，起动时间短。本文讨论的所有开关都用静电起动。但静电起动会降低RF功率处理能力，造成与电压的非线性起动。 RF MEMS开关可有一个欧姆（DC）接触或电容接触。欧姆开关是把两个金属表面拉近，使其相互接触来产生DC接触。电容开关则在这两个表面之间放一RF介质材料。欧姆开关一般用作串联开关，在DC下操作良好，但在60 GHz以上则因寄生串联电容而导致效果较差。电容开关一般用在并联开关结构中，在低频操作（<100 MHz）下有局限。经验证上述每种开关都具有很好的RF性能，并且都制造出了世界级的电路。 4. 欧姆开关金属接触开关包括了DC-60 GHz范围，有两个设计表现出了突出的性能：Rockwell科学公司的开关和模拟器件/Radant公司的开关。Rockwell串联开关是宽边开关，在接触面积的每边有两个下拉电极。开关隔膜由一层氮化物/金膜组成，悬挂在衬底上方2.5μm处。下拉电极为75 μm2，起动电压是70－80V。在每个接触面积上都有两个3 μm2的接触点。在此需要小接触点来降低金属－金属粘附，增加接触压力。产生的接触力为100μN每接触，金－合金接触的总开关电阻不到1.5Ω。这使开关插入损失在50GHz以下时为0.1－0.2dB。开关向上状态（upstate）的电容只有1.75 fF，因此在4 GHz（45dB）甚至40 GHz（25dB）以内有很高的绝缘性。Rockwell科学公司的开关已经用于现代化X带和Ka带移相器，被视为目前最佳性能的金属接触开关之一，特别是在10－50 GHz操作时。 Radant MEMS/模拟器件公司的串联列式（inline）开关用7－8μm厚的金悬臂制造，悬挂在衬底上方1μm处。现在已制造的有2接触、4接触和8接触几种设计。主要的权衡选择是在向上状态电容的上升（和更差的绝缘性）与N接触开关（N>2）的低开关电阻（和功率处理能力的上升）之间。2接触开关非常紧密，尺寸为75 x 30 μm2。2接触开关的弹性系数为60－80 N/m，因此其起动电压为70－80V，开关时间为2μs。接触力约为100μn，Pt类接触金属的开关电阻为2.5 Ω（8接触设计的电阻下降到0.7 Ω左右）。2接触和8接触设计的向上状态电容分别为13 fF和40 fF。在4 GHz下的绝缘测量值分别为28 dB和20 dB。 Radant MEMS/模拟器件是采用顶层硅圆片和450℃的玻璃－玻璃密封进行气密性封装。MEMS开关是悬臂设计，因此可承受这一温度。封装后的8接触开关经过>10亿循环的100mW RF功率试验（冷开关）没有出现问题。 5. 电容开关最为人所知的电容开关是雷声公司的电容隔膜开关。它是由一个铝薄膜（～0.5 μm）组成，悬挂在一金电极薄膜（～0.5μm）上4μm，该电极薄膜以氮化硅层覆盖。当在隔膜和电极之间施加电压（～30V）时，隔膜跳下到介质上，形成高值电容器。实际上它是数字可调的电容器，断开电容为35 fF，接通电容为3 pF。和大多数静电MEMS开关一样，开关吸引的功率很少，起动隔膜所需能量不到10 nJ，开关时间不到10μs。CPW开关的RF功率处理能力在CW RF应用中为500 mW，在脉冲RF应用中为4 W，因为开关的起动和保持电压不相等。但最近的数据表明，微型带式开关的功率处理能力几乎是CPW开关的两倍，因为他们的场分布不同。雷声的电容隔膜开关在40 GHz内表现出很好的性能。到40GHz的插入损失小于0.1 dB，绝缘性在35 GHz时大于35dB。目前已有大量的工作在验证这一开关的可性。RF功率水平500 mW以内已可获得超过10亿循环的寿命。最近有有限数量的样品在施加100mW CW RF功率时表现出>100亿起动的寿命。 Lincoln实验室开发的小型电容列式串联开关，其接触面积约为50 x 100μm2，断开状态电容为1.5 pF。这一开关是以围绕在开通状态位置的悬臂为基础，采用三层淀积工艺形成，包括200 nm的压缩PECVD SiO2，500 nm的溅射铝，和200 nm可拉伸PECVD SiO2的封盖层。聚酰亚胺释放层也经过图案形成，以便在悬臂表面形成皱褶。该皱褶用于调整臂的硬度和接触区。悬臂的卷缩运动可带来大的断开态分离距离（8－12 μm），从而带来非常低的向上态电容（8-10 fF）。经过验证电容率达150－200：1，是到目前为止可实现的最高值。下拉电极有一部分在开关下面，开关端部则是电容接触区。下拉电压是30－40 V，使用的保持电压是10 V。开关时间为15－20 μs，这要视起动电压而定。对8个开关进行10 GHz的可性试验，表现出在10 mW下>200亿的热开关循环，功率处理能力>5W而没有出现烧坏（高频没有提供长期可*性数据）。Lincoln实验室开关有非常高的下拉力（因为开关内存在残余应力坡度），因此在高功率应用中有很大的潜力。

2019-10-21 15:47:34 评论举报杨阳