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15个回答
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D13-双向TVS管，吸收压制浪涌电压；Q2,D17,R169构成防反接保护；Q1,Q18，R87,D94主要起过压保护，当输入电压高于32V+0.6V后，D94稳压管开始击穿，电流增大，即Q18射极电流增大进入导通状态，Q18导通，拉高Q1栅极使其关断；C41,R171和Q18 BE极在上电瞬间构成RC延时，Q1栅极电压在C41充电期间由高变低降落，达成缓慢延时启动效果。
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买现成的吧
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防反接是知道 缓启动这个不懂
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老板要我参照这个电路设计电源防护措施C:UsersAndy LeeDesktopQQ图片20180725172718.png我也是不懂上电缓冲启动那个C41电容充电过程
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想买现成的，但老板要自己设计，说是板子不完全匹配，参照重新设计
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前面都说的差不多了上电缓起后，R173电阻用来给C47放电
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调节C41的容值调节缓起时间
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楼主相当电源工程师的话建议先买基本开关电源的书来看看
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这是大疆的开发板电源处理，觉得很好，我也只是参照，需要修改一些元器件参数，所以才想弄懂这个电路的原理，没当电源工程师的那么大梦想
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感谢您的回答，突然觉得理解了不少，还有三处疑问：其一，这里的输出端接R173有何作用，难道是构成电容C41的放电回路？其二，上电瞬间，Q18是导通还是关断状态，如果是导通的，Q18将Q1栅极拉高，所以Q1不导通，那么这时C41的充电回路是怎样的，如果是关断的，这时C41充电回路又是咋样的？其三，这里的D14稳压管到底是怎么开启过压防护的，这里9V是用来保护Q1的栅源极的还是保护输出电压的，保护栅源极为何不D14不接源极而接漏极
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C41,R173,R171和负载电路构成通路，可以放电； Q18的E,B极相当于二极管，输入电压通过这个二极管，对C41,R171构成的RC回路充电，所以上电瞬间Q1栅极是被拉高的，不导通；D14在正常输出电压（约<9.1V）时是没有反向击穿的，忽略漏电流相当于截止断开状态，如果因为某种异常导致输入端电压突然升高，就会导致D14反向击穿进入工作状态，这个击穿电流会在R171上产生电压，即Q1栅极电压上升关断
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非常感谢，关于D14还有一点疑问，如果按照你说的那样，只要输出电压高于9.1V时D14就击穿，即便R171上端电压升高，但是Q1的GS极电压不是基本等于D14击穿电压（大于Q1栅极阀值电压）吗，那Q1又怎么会关断得了呢？
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看图Q1是PMOS,S极在左边。理论上负载端出现某种异常电压升高了才会有D14击穿导通
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好贴，mark
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