GaN HEMT(氮化镓晶体管)可以替代高压高频电动机应用中的MOSFET和IGBT器件,这类参数比较宽的半导体器件为大功率密度电动机开辟了新的应用领域,它们可以处理更高的电压、电流、温度和开关频率,而且功率损耗要比硅晶体管低得多,集成GaN HEMT和驱动逆变器的高功率密度电动机的商业应用也正在推动更多新威廉希尔官方网站
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GaN HEMT逆变器采用了新一代陶瓷电容器,它能够承受高压峰值和浪涌,这些电压峰值浪涌可能会使传统的直流组件承受过大的压力而损坏,这些元件是高功率电动机所必须的。
电动机额定功率的计算公式是电源电压乘以电流(V x A),传统电动机的电压比较低(小于1000V),需要电动机在较大电流下运行才会产生更大的输出功率,大电流的缺点是需要更大的线圈,这会增加回路的电阻值,会造成效率低下和发热严重,如果采用高电压(大于10KV)就可以降低电流使用较小的线圈,这种方式的缺点是电阻相关组件(包括电动机驱动器件)必须能够承受较高的电压,可选择的器件会减少同时会增加成本,第二个缺点是小线圈的电感绕组较低,这样不能抑制开关电源产生的电流扰动,这种电流大小变化会导致电磁干扰(EMI)问题。