IR 功率MOSFET的基本结构中每一个六角形是一个MOSFET的原胞(CELL)。正因为原胞是六角形的(HEXANGULAR),因而IR常把它称为 HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。已风行了十余年的IR第三代(GEN-3)HEXFET每平方厘米约有18万个原胞,目前世界上密度最高的IR第八代(GEN-8)HEXFET每平方厘米已有1740万个原胞。这就完全可以理解,现代功率半导体器件的精细工艺已和微电子电路相当。新一代功率器件的制造威廉希尔官方网站
已进入亚微米时代。