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康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候，而增强型MOSFET在栅源电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，两种管子工作在什么状态？漏极电流会超过饱和电流？还是处于一种什么样的工作状态？
比如说栅源电压小于0，且大于开启电压时，工作在可变电阻区，栅源电压等于0 ，工作在饱和放大区，栅源电压小于0，且小于开启电压时，工作在截止区。 
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MOS管也有类似三极管的线性区域,MOS管栅极源极电压变化,对应源极漏极的电阻变化
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