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DS3984、DS3988、DS3881、DS3882、DS3992和DS3994为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器，它们使用推挽结构来产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中，升压变压器的寄生电感与n沟道功率MOSFET的寄生输出电容组成了一个谐振回路，能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率MOSFET承受的应力，同时也会增大系统产生的电磁干扰(EMI)。要如何抑制该干扰？
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确定合适的缓冲电路RC值
1.测量尖峰谐振频率。 2.在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容(无电阻，仅电容)，调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。此时，该电容值为产生尖峰电压的寄生电容值的三倍。 3.因为寄生电容值已知，寄生电感值可用如下等式求得： L = 1 / [(2πF)² x C]，其中，F＝谐振频率，C = 寄生电容值 4.现在，寄生电容和电感值都已知，谐振回路的特征阻抗可由如下等式求得： Z = SQRT(L/C)，其中，L = 寄生电感值，C = 寄生电容值 5.RC缓冲电路中的电阻值应该接近特征阻抗，电容值应该是寄生电容值的四到十倍。使用更大的电容可以轻微降低电压过冲，但要以更多的功率耗散和更低的逆变效率为代价。 |
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