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`如图是通用的全桥整流拓扑结构，输入48V,输出24V50A。 
但是我测试中发现，带载后MOS管反峰电压过高，200V的MOS管，反峰高达240V
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6个回答
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时间轴放大后如下图
测试母线电压波形（在MOS管脚上测试），波形如下
也有很大反峰，但是测试电解电容上的波形还可以。 现在调整吸收RC参数，或者干脆去掉吸收电路，对这个反峰的影响都很小，在母线间并接1UF400V的CBB电容也效果不太明显。请教如何处理这个反峰的效果会更见成效呢？ |
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@胡政鹏邮箱 5、因某种原因也许 C1 不能太靠近两个开关，那就再用一个小容量的 CBB 电容就近达成这个电容，形成最小回路连接。
整个机器的结构不是在电路板上，而是分立的结构，请教这个小的CBB电容需要多大的容量和额定电流，这个要怎么估算呢？而且我也有在MOS管上并接一个CBB电容，效果似乎一般。 |
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@jsqueh 这个方法有说明，是三个元件的最小回路连接(无论是铜排或者PCB)，电容只是其中一个元件。因此，电流的大小也与其他两个元件相当，一般CBB电容都能满足，无需纠结。
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你这测试错误了吧，管子EAR那么厉害？200V管子240还不死
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