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提问:1)假设SOC的内部阻抗在48欧姆,外部传输线走了50欧姆的阻抗,而内存的ODT设置了60欧姆!
请问会不会对信号来说负载加重了。出现了阶梯。还有信号到了内层,阻抗变得不连续了。而导致反射??? 2)假设SOC内部30欧姆阻抗,外部传输线60欧姆,内存也60欧姆。 请问这种状况信号会不会刚从SOC出来就抖动。出现反射现象??? 3)为什么在并联端接VTT后信号的反射会被吸收呢??? |
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2个回答
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如果考虑数据线,是点对点的, 个人觉得用仿真工具跑一下比较好,后仿真。
老的DDR一直是用stub termination的方式, 也就是串阻和VTT termination相结合的方式。 现在的新一代的DDR,基本去除了数据线外面的电阻,串阻和VTT的方式都不需要外部termination,我们只需要动态调整 ODT, Vref就可以了。 |
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噢~!老的也有VTT端接在数据线上吗?
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