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开关速度主要是影响开关损耗。实现软开关对EMI有改善。至于你说的关段会慢，你是用的IGBT？
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应该是一样的，除非是开漏输出模式，会有下降快，上升慢，比如i2c通讯
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功率管不是很大吗，怎么就会被烧掉呢？是瞬间过充电压引起的吗？
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nldmos的寄生NPN开启了,因为过高的di/dt在bonding寄生电感上产生了过高的过冲电压.nldmos里面drain端和bulk端有一个NP结,也是计生npn的CB端,除非说你的nldmos很耐用,这个结的BV很高,那没事.Driver容易烧是因为floating pmos或者nmos的vds,受nldmos寄生电容Cdg影响,当过高的dv/dt在drain端产生时,这个over shoot被电容cover到了Driver输出端.一般在这个地方nmos更容易挂,通常串个几百欧姆电阻.PMOS就看面积是否足够大.电阻串多了,驱动能力弱,功耗高.这也是一个折中考虑.
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都是寄生bjt的锅，大电流要烧器件要靠时间积累，过热后击穿pn结
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学习一下
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围观学习下。充实下自己的知识面。
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