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MOC3201耐压足够,应该不会有什么问题
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触发足够了,MOC3201上端串联一个470R电阻,8050直接省去,但是,输出这边需要串联电阻,至少300左右,否则有烧毁BAT触发极的风险。
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电路图上触发应该不会有什么太大的问题。关键是可控硅控制部分是否正确?
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MOC3201资料里有典型应用图,比你这个要来的实用些。
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去掉8050,用单片机端口直接控制光耦,最好用灌电流驱动,VCC 电阻 光耦二极管正极 单片机控制端接光耦二极管负端,这样可靠性更高,另外光耦的二次侧要串联一个几百欧的电阻,用于触发主可控硅
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如果单片机是MCS51系列(包括STC)的准双向口的话,最好用“0”作为输出,因为单片机上电时端口是“1”,可以通过一个小的PNP管(如9012,8550等)接去驱动光电触发可控硅(MOC3020),触发可控硅与功率可控硅的触发回路应串一个100--470的电阻作为阻尼,还应该在功率可控硅的触发机与阴极之间并一个103的抗干扰电容。
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把HEADE串连到BTN的阴极中,这种方式应该不能实现控制
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可以实现的 发光二极管既做显示又做限流之用
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问题多多,不可用!
1. MOC3201光耦不存在,应为MOC3021,随机触发,双向可控硅驱动。 2. MOC3021光耦光耦的LED触发电流应按不小于15mA设计。 3. 电路错误一,NPN的Q7(8050)放在电源端,就是一个错误。P2.2口提供不了那么高的高电平,Q7不能饱和导通。Q7应当移到地端。 4. 电路错误二,三极管基极缺少一个限流电阻,不仅不合设计之理,对三极管和MCU都有严重危害。 5. 电路错误三,光耦输出回路缺少一个限流电阻,光耦输出端可以承受的瞬间脉冲电流仅有1A,只有上阵牺牲的份儿了。 |
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我想要用半桥电路测试IGBT,但是IGBT总是导不通,求大家帮忙看看是为什么
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