MOS管在开关电源中的六大选型要求

2018-11-2 11:49:56 7127 MOS管开关电源

0 ` 　mos管在开关电源中的六大选型要求　　1、电压应力　　在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOS管实际工作环境中的峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：　　VDS_peak≤90%V(BR)DSS 　　2、漏极电流　　其次考虑漏极电流的选择。基本原则为MOS管实际工作环境中的周期漏极电流不大于规格书中标称漏源电流的90%;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的90%即：　　ID_max≤90%ID 　　ID_pulse≤90%*IDP 　　3、驱动要求　　MOS管的驱动要求由其栅极总充电电量(Qg)参数决定。在满足其它参数要求的情况下，尽量选择Qg小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离栅源电压(VGSS)前提下使Ron尽量小的电压值(一般使用器件规格书中的建议值) 　　4、损耗及散热　　小的Ron值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差(同样耗散功率条件下)，故有利于散热。　　5、损耗功率初算　　MOS管损耗计算主要包含如下8个部分：　　PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover 　　详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合，还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。　　6、耗散功率约束　　器件稳态损耗功率PD,max应以器件工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度，则可以按如下方法估算出的耗散功率　　PD,max≤(Tj,max-Tamb)/Rθj-a 　mos管在开关电源中的六大选型要求` 0
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