[问答]

PIC32MM闪存擦除时间比预期时间长

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 大家好几个月前，我试着启动PIC32 mm项目，但是在做Bootloader工作后停止工作。这些天，HTTP://www. McCHIP.COM/FUMMS/M1022247.ASPXI恢复了这个项目，我发现问题仍然在发生。我想知道为什么，我调查页面擦除时间，发现它需要16Ms！像MCU这样的擦除代码使用FRC PLL在24MHz下运行，通过USB进行自我调整，我调整PLLoDIV以在12MHz运行SysCLK，仍然是16Ms！我看一下数据表，上面写着4.26MS TYP。没有错误的说法是擦除时间的增加我想知道我是否做错了什么。有人能证实吗？以上来自于百度翻译以下为原文 Hello everyone Few months ago, i try to kick start PIC32MM project, but stop working on after fail to make bootloader work. http://www.microchip.com/forums/m1022247.aspx I resume the project these days, and i find the issue still happen. I am figuring out why. I probe the page erase time and found out it take 16ms! The erase code like this void NVMemDelay(volatile int i) { while(i > 0) i--; } uint32_t __attribute__((nomips16)) NVMemOperation(uint32_t nvmop) { LATASET = 0x8; // PIN RA3 rise __builtin_disable_interrupts(); DMACONSET = _DMACON_SUSPEND_MASK; NVMCON = nvmop; NVMCONSET = 0x4000 \| nvmop; NVMemDelay(100); NVMKEY = 0xAA996655; NVMKEY = 0x556699AA; NVMCONSET = _NVMCON_WR_MASK; while(NVMCONbits.WR); NVMCON = 0; DMACONCLR = _DMACON_SUSPEND_MASK; __builtin_enable_interrupts(); LATACLR = 0x8; // PIN RA3 fall return NVMCON & 0x3000; } void NVMemWriteRow(uint32_t addr, uint32_t * row) { NVMADDR = KVA_TO_PA(addr); NVMSRCADDR = KVA_TO_PA(row); NVMemOperation(0x4003); } void NVMemEraseBlock(uint32_t progAddr) { NVMADDR = KVA_TO_PA(progAddr); NVMemOperation(0x4); } MCU is running at 24MHz using FRC PLL and self tuned by USB, I adjust PLLODIV to run SYSCLK at 12MHz, still 16ms! I look at the datasheet, it says 4.26ms Typ. And there is no errata saying the increase of erase time I would like to know if i have done anything wrong. Can anyone confirm it? 0
2018-10-30 15:18:00　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × qun333 该类别下有 57 个回答。邀请回答威廉希尔官方网站发广告该类别下有 56 个回答。邀请回答 caoguiqun 该类别下有 56 个回答。邀请回答 psw30 该类别下有 44 个回答。邀请回答伊丹姿子该类别下有 41 个回答。邀请回答 uwufwjrw 该类别下有 39 个回答。邀请回答 hetao1111 该类别下有 38 个回答。邀请回答 lc123617 该类别下有 35 个回答。邀请回答欧阳大大该类别下有 32 个回答。邀请回答作死不止该类别下有 31 个回答。邀请回答 asd010 该类别下有 31 个回答。邀请回答 60user92 该类别下有 29 个回答。邀请回答 wy8719 该类别下有 29 个回答。邀请回答 haikitty 该类别下有 28 个回答。邀请回答 ju978779 该类别下有 28 个回答。邀请回答嘻嘻爱哈哈该类别下有 28 个回答。邀请回答 xiuzhen122 该类别下有 27 个回答。邀请回答 pol666 该类别下有 27 个回答。邀请回答 ueywyrsdfs 该类别下有 26 个回答。邀请回答 lhly23 该类别下有 25 个回答。邀请回答举报石栓柱相关推荐 • PCB启用HSE尝试每500毫秒切换一次引脚时，话费的时间比预期的长是为什么？ 159 • PIC32MM UART消耗的功率是什么？ 873 • 如何在PIC32MM中写入/读取int数字或字符并在加电时重新加载？ 981 • 预计PIC32MZ启动时间是否为90ms？可以减少吗？ 1167 • 请问PIC32 mm的软替换（）是否正确替换？ 1142 • 想做一个时间的程序，可是产生的时间比实际时间慢 3502 • STM32F091 Flash擦除需要多长时间才能激活？ 124 • PIC32MM写入擦除NMV故障 1126 • PIC32MM编程规范问题 1873 • EEPROM读写操作时间长导致系统阻塞 3442 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 闪光灯的“磨损”越长，擦除时间越长。数据表说明马克斯擦除时间是什么？Ruben 以上来自于百度翻译以下为原文 The more "worn" the flash becomes the longer it takes to erase. What does the datasheet says about Max erase time? /Ruben

2018-10-30 15:37:15 评论举报黄飞高