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描述
这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流并网逆变器级。50kHz 的较高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸,并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET,可确保高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗,实现 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。 主要特色
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