DRAM威廉希尔官方网站或迎大转弯，三星、海力士搁置扩产项目

2018-10-12 14:46:09 2578 闪存三星

0 `这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事。根本原因不在三星、SK宣称的市场因素，目前DRAM市场价格并不差，反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线，不是拿石头砸自己的脚吗？同时也不是媒体所猜测的国内DRAM产能陆续释放，国内DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是威廉希尔官方网站层面的原因。威廉希尔官方网站才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前威廉希尔官方网站在96层，但是威廉希尔官方网站路标的能见度已至512层－3D Flash做为高科技产业的威廉希尔官方网站、产品还可长可久，投资于此，理所当然。 DRAM制程推进已很缓慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也许可以推进到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。对于一个商业公司，最合理的是采取收割策略，少量投资，改善良率，并且利用韩国机器设备3年折旧的制度，在未来的DRAM市场持续保有价格优势，获得最大利益。 DRAM自然也不会从此就从市场上消失。在CPU与NAND Flash的速度还存有巨大落差，这是目前存储器体制(memory hierarchy)的现况。所以合理的情境是已有新兴存储器(emergent memories)的威廉希尔官方网站已接近成熟，可以填补这个区位，所以两家大厂才会停止DRAM的投资。从目前各新兴存储器的威廉希尔官方网站进展来看，读写速度都已纷纷进入10ns的目标区，而且不需要更新电流(refresh current)，对功耗问题大有好处。况且这些威廉希尔官方网站也都可以3D堆叠，在价格上迟早能跟DRAM竞争。综上所述，威廉希尔官方网站层面的革新才是导致两家大厂放缓新项目投资的主要原因。换言之，DRAM威廉希尔官方网站也即将迎来以威廉希尔官方网站提升为主导的产业大转弯。 ` 0
2018-10-12 14:46:09　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 三星海力士铠侠原装IC 1720 • 供应三星海力士存储芯片 2176 • 三星/SK海力士DRAM大幅扩产，恢复至削减前水平，存储新周期开启 5455 • 三星与SK海力士DRAM继续涨价 1347 • 三星、SK海力士通用DRAM产线开工率维持80%~90% 821 • 三星推迟扩产DRAM，多方受益 3193 • DRAM价格上涨，三星和SK海力士营收或改善 2913 • SK海力士扩产1b DRAM,引领存储行业新热潮 884 • SK海力士M16晶圆厂扩产，DRAM产能将增18% 1223 • HBM需求高涨三星、SK海力士投资超2万亿韩元积极扩产 984