[电源设计]

适用于UPS和逆变器的碳化硅FET和IGBT栅极驱动器参考设计

2018-9-30 09:23:41 2171 驱动器电源 IGBT

0 描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 ti 的 UCC53xx 3kVRMS 基础型隔离式栅极驱动器，可以驱动高侧和低侧 (...) 主要特色适合单相和三相逆变器、中高电压电源转换器（100VAC 至 230VAC） 0.5A/2A/6A/10A 拉电流和灌电流适合驱动 MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz 在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断 4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层驱动器解决方案经过验证，能够承受 100kV/μs 以上的高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 内置低成本、组件少、紧凑型隔离式电源，可为具有负偏置的高电压侧电路供电，实现抗噪效果 0 Schematic/Block Diagram.pdf 234.87 KB , 下载次数: 5 物料清单.pdf 26.76 KB , 下载次数: 2 层图（或 PCB 布局）.pdf 304.18 KB , 下载次数: 6 组装图.pdf 74.26 KB , 下载次数: 2 CAD 文件.zip 1.39 MB , 下载次数: 2 光绘文件.zip 447.66 KB , 下载次数: 3
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