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现在是通过三极管驱动mos管来控制灯的亮度。 问题是MOS管会很烫，三极管长时间使用后就会烧掉。途中LED电流为3A，VDD为24V mosfet为IRF640。 
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16个回答
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楼主的电路，三极管集电极串联 10K电阻 ，驱动电流太小 mos管不能很快导通，大多工作在线性区，所以很烫
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9014 c 和mos 管之间要加电阻吧！
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我认为R3可加大至22K,R2减小到2.7K,再在Q1基极加一个51K电阻到GND!试下
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24V供电?电路设计可能没有注意到细节，一般的MOS管，应用时其G极最大电压不应该超过15V，否则容易击穿，所以对于可能高于15V的电路一般要用保护。
Q1最大电流为2.4mA,即是在摸拟应用时的最大功耗<15mW,所以烧坏的原因就该是后级的影响。 一般的LED的正向电压3V左右，一般要加限流。再者，象这样高的电压的应用方法本人没有见过，特别是大功率应用，必须考虑效率。 不管是摸拟控制还是PWM，这个电路还是改一改吧。 |
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谢谢各位的意见
现在电路图里面驱动的LED是3A的大功率LED。 我是用PWM方式调节亮度的。 目前的情况很奇怪，我加工了10块板子情况如下： MOS管发烫情况：10块都有 LED不能点亮： 4-5块有此情况。 这个就很奇怪，同样的电路但是有的板子上我更换了电路图中的所有的元件后还是不能把LED点亮 |
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我可以帮你解决
(1)当没有PWM波时，三极管刚开始肯定处于关闭状态，导致MOS管一直处于打开的状态，所以MOS管比较烫，这是烫的原因。 (2)但是当加PWM时，由于频率过高，导致三极管跟不上变化，可能一直处于打开的状态，这时MOS管关闭，所以灯不亮。这是不亮的原因。 所以对策是; (1)使得没有PWM波时，MOS管处于关闭状态，这样就不发烫了。你可以加一个NPN和PNP组合的三极管，是正逻辑，输入为高时输出才为高，我告诉你一种三极管簇(BCR08PN等系列），记住要加个下拉电阻在b-e之间，使得电荷可以快速泻放掉。 （2）只要三极管能够比较快速的导通和关闭的话，灯肯定会亮的，所以你应该选择上面类似的快速开关三极管，采用正逻辑的话应该没有问题。还要记住，在MOS管的栅极也要下拉个电阻才行。 |
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1 条评论
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MOS管DS之间电压是多大？
LED正向电压是3V左右，然后所有的电压将加在MOS管DS之间电压之间。一般DS两端电压高于了3V，MOS管就会发烫。电压越大，发热越是厉害。功耗非常大。 另外，对于LED不亮问题。可能是MOS关G极的驱动不够，MOS管没有导通。 |
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本帖最后由 JQ_Lin 于 2018-9-18 16:45 编辑
貌似三极管没有烧掉的理由，导通时电流很小，才2.4mA，只要耐压足够，应该没有问题。 问题在于： 1. NMOS管栅极电压，你没有作任何处理，24V太高！ 2. LED负载回路，缺少限流电阻，24V的电源电压由一个LED和一个NMOS顶着！ 如果NMOS更坚强，那就烧掉LED，NMOS也遭残废。 如果LED够强大，那就烧掉NMOS，LED也身受重伤。 若NMOS栅漏被击穿，则迫使那个本来没有危险的三极管同LED关联起来，必烧无疑。 解决办法： 1. 三极管基极接10k电阻至地，使其截止可靠。 2. 三极管集电极电阻R3大幅降低阻值，例如 1.3k。 3. NMOS栅极接电阻至地（源极），例如 1k。 这样，一可以提高快速响应的能力，二使NMOS栅极电压控制在10V左右。 4. LED负载回路要串接限流电阻，阻值 = (24V - LED管压降) / 你想要的电流。 一个发光管，用24V电源，太不匹配了。 如果非得用24V，你可以用多个小功率的LED串联，也得加限流电阻。 |
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IRF640的GS之间的电压最大为±20，你这明显超了。另外，漏极电流大概估算一下，也明显超了(Id=18A).
三极管烧的原因是MOS管的栅极放电电流流过三极管，致使其烧毁？ |
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2018-9-18 21:58:15
评论
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你漏了一个重要参数，3A时LED电压是多少，如果很低的话，是不能用这种方式驱动的
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确定led是24V的?mos插件的有装散热器？
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2018-9-19 13:22:57
评论
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VDD是24V。你R2上加的电压多少？Q1工作在截止和放大状态了。你要让Q1工作在开关状态。
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你好，问题解决了吗？我有类似的案子。也用到类似电路，但是供电是3.7V的。
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我想要用半桥电路测试IGBT，但是IGBT总是导不通，求大家帮忙看看是为什么
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