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作者:Eric.Siegel
ti 的电容式电流隔离威廉希尔官方网站 在很多方面与光耦合器隔离威廉希尔官方网站 不同,其中最突出的当属隔离实施。首先,我们来确定一下我们是否理解“隔离”的真正含义。隔离从本质上讲是一种保护形势,允许两点间的通信,但阻止电流在各点间直接流动。 工作原理 在基于光耦合器的威廉希尔官方网站 中,使用 LED 将信号信息传输给接收器,再由接收器将消息发送给电路的其余部分(可以想象成使用手电筒发送摩斯代码)。其隔离层源自 LED 与铸模化合物厚度的结合。因此从本质上讲,其隔离与构成其封装的组件相关。在 TI 的电容式威廉希尔官方网站 中,信号信息以通过一系列蚀刻在硅芯片上的电路为基础。中间是二氧化硅构成的电容器,可通过利用边缘检测方案阻隔直接电流流动(可以想象成敲击墙壁传送摩斯代码)。 要了解所有不同点,毫不夸张地说可能需要满满一学期的大学课程,不过我们只讨论几个主要方面:部件间变化、绝缘厚度以及质量与可靠性。 部件间变化 变化是绝对的,但变化的粒度是相对的。TI 的隔离威廉希尔官方网站 是一种二氧化硅电容器,以微米级工艺创建,部件间的变化会有,但极其微小。另一方面,光耦合器的隔离在封装层面上实现,其更像毫米级。该装配工艺变化和误差在该级别下自然较大。可以想象一下,每个节点的相对变化和噪声可能相似,而且与基本规范相比较小,但将光产品与电容式产品相比,您会看到这两种威廉希尔官方网站 天壤之别的差异,因而其最根本的 DNA 也极为不同。 隔离层厚度(DTI) 装配差异决定了光耦合器比 TI 隔离器件大,这是所用材料属性的结果。隔离层厚度 (DTI) 是常用的衡量标准,相当于隔离层强度。在隔离实例中,与隔离强度有关的真正衡量指标是每微米电压击穿,而非纯厚度。我们来比较一下硅/PI/铸模化合物(用于光耦合器)与二氧化硅(用于 TI 电容式隔离)的额定参数:
质量与可靠性 可制造性与装配也会导致故障率。在查看光耦合器和 TI 隔离器的故障时间 (FIT) 公开数据时,您会发现可靠性数据存在数量级的差异。故障时间实际是指:给定器件样片集在给定时间内以相同条件工作,会因损耗而出现多少次故障。
希望您现在对 TI 隔离器和光耦合器之间比较明显的差异有了更清晰的认识。无论在架构、所用材料还是可靠性方面,可满足高性能要求的 TI 隔离器都是绝对的赢家。请关注与该主题有关的更多文章与博客。 更多详情:
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