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电路修改

2018-8-29 15:28:52 2117 电路

聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam，简称FIB)电路修改
聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam，简称FIB)电路修改，原理是利用镓离子撞击样品表面，搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接电路)。
电路修改(FIB circuit)宜特检测藉由FIB，即可提供芯片设计者修改芯片电路，无需重复改光罩重下芯片，不仅可降低经费，更可加速芯片设计原型(Prototype)的验证与上市时间(time-to-market)。
点针垫侦错 (CAD Probe Pad)在芯片上做信号撷取点，宜特检测藉由FIB将芯片设计者欲量测的信号点拉到芯片表面，并利用机械式探针(Mechanical Prober) 撷取芯片内部信号。
晶背电路修改随着覆晶封装基材限制，与先进制程演持续进到16nm，金属绕线层增加以及更为复杂紧密的电路布局，从晶背(Silicon)进行将提升可行性与成功率。

可达4.5nm分辨率，可执行16/14nm制程之线路修补。
最大可放置8吋晶圆。
支持 Knights Merlin CAD Navigation 软件。
高准确度雷射导引Stage。
内建红外线显微镜可观察CMP层及绝缘硅层。
金属联机材质有钨(阻值较低)及白金(速度较快)两种选择。
建置FEI DE/DX蚀刻气体，应用于高深宽比、紧密电路，良率表现更为优异。

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Model(17)	Capability Process	Capability Note
FEI V400ACE(4)	14/20nm	14/20nm Backside FIB W+PT+SiO2 dep.
FEI 986-IET(2)	28/40nm	Sample size ≤ “8” Wafer & PCB