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TMS320C6701外部RAM由两片512K×16位SRAM组成32位的系统,链接到DSP的CE3地址空间,编写程序对RAM区进行读写测试,写入数据格式为(i|(i<<16))循环累加写入RAM,然后通过数组将刚才写入RAM区的数据读取出来,同时在CCS的MEMORY窗口观察RAM区的数据。
结果是通过数组读取的数据与写入的数据是相同的,但是MEMORY窗口观察到的数据高16位数据是正确的,低16位的数据有异常。 当仿真环境为CCS3.3时,从0地址开始每连续8个地址读出的数据是相同的,与第一个地址的数据相同,比如0x0000连续八个,然后是0x0008连续八个,依次出现0x0010/0x0018/0x0020/0x0028等等。。。同时读出的高16位数据是正确的累加递增数据。在MEMORY窗口更改第一个地址的数据后,后面7个地址的数据同时发生变化,但是随后通过数组读取的数据只有第一个地址的数据发生变化。 当仿真环境更换为CCS5.2时,问题依旧存在,现象不同,从0地址开始每连续8个地址读出的数据中前6个数据是正常的,第7个数据与第8个数据是相同的,在MEMORY窗口更改第7个地址的数据后,窗口中第8个地址数据同时变化,而实际数组读取的数据未变化。 请教下各位老师是否知道该问题是怎么产生的,如何解决? |
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