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如图所示是一个MOSFET的驱动电路
1. 左侧两个500的电阻可以合并成一个1k的吧,比如放个1k的在2管脚。 2. 当2管脚接到高电平,6和7管脚输出的电压应该是15V吧,此时最右侧PWM1端口的电压是15V吧。那这时候的GNDA电压会因为稳压二极管Zd1的原因,而到3.3V么?此时右侧,也就是MOSFET的Vgs电压就是15-3.3V么? 3. 当2管脚接到低电平,6和7管脚输出电压是0,PWM1的电压是0,此时GNDA的电压会是3.3V么?那此时Vgs的电压是-3.3V么? 4. 图中Rd3电阻和Rd5电阻和Cd3电容的作用分别是什么?阻值大概是如何确定的? 以上问题可能有点乱,但希望各位前辈不吝赐教,我会好好学习一下的,谢谢!
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2个回答
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1、可以的,这只是限流电阻,两种接法都可以,除非电流比较大可能才考虑串联或并联分摊功率,但你这个显然不存在这个问题
2、大致看了下SI8261的推挽结构,确实是IF ON时,输出高电平,按照这个电路PWM高电平是15V没错的,然后ZD1嵌位3.3V没问题,如果是PWM1接MOS管G级,VGD1接MOS管S级,那VGS也没错 3、GNDA的电压值是基本不变的,所以3.3V没问题,VGS是-3.3V也没错,你这个应该是控制耗尽型NMOS管的吧,这个管是要VGS负压才能彻底关断 4、电阻值的选择无出限流,根据实际情况兼顾低功耗计算电阻值即可,电容的话这里就是滤除稳压管的噪声,值的选取的话需要参考下稳压管的噪声范围
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aylboy0001 发表于 2018-4-19 10:39 十分感谢!!学习了 |
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