NAND 闪速存储器

  TC58V64的引脚配置如图所示。在图中未看到地址引脚，这是因为利用数据输人输出引脚（I／O 1 ～I／O 8 ），能够以时分方式赋予数据。NAND闪速存储器只能以基本的块单位进行顺序存取，所以不需要以随机存取为前提的地址引脚。

  接着我们针对各个信号引脚进行简单的说明。
▲ I／O 1 ～I／O 8
  这样的信号引脚进行着地址、指令及数据的输人输出等，与ALE及CLE信号等配合，以时分方式复用。
▲ /CE（Chip Enable，芯片使能）
  这是器件的选择信号。电平为低电平时，器件处于选择状态；为高电平时，器件处于非选择状态（低功耗状态）。
▲ /WE（Write Enable，写使能）
  将I／O端置于输入（由主机向器件赋予数据等）状态。
▲ /RE（Read Enable，读使能）
  这是用于使I／O引脚进行数据输出的信号。/RE也作为内部地址计数器进位的时钟来工作。RE有效（为低电平），经过存取时间（tREA）后，I／O引脚上的数据得到确定，在/RE的上升阶段，内部地址计数器只向前移动一位。这样，单一的读操作就可以读出连续地址的存储器内容。
▲ CLE（Command Latch Enable，指令锁存使能）
  这是向器件内部的指令寄存器中写人给予 I／O 引脚的操作指令码的控制引脚。在/WE 信号上升与下降时，如果 CLE 有效（为高电平），则作为指令将被锁存。
▲ ALE（Address Latch Enable，地址锁存使能）
  这是判断主机给予 I/O 引脚的数据是地址还是数据的信号。ALE 如果有效（高电平），则作为地址来处理；ALE 如果无效（低电平），则作为数据进行处理。
▲ /WP（Write Protect，写保护）
  强制禁止进行写人及擦除操作。如果/WP 有效（低电平），则芯片内部的升压电路被复位。由于存储器单元不能生成用于写人的高电压，所以即使发出了指令，替换操作也不能被执行。在上电、断电以及容易使操作不稳定的情况下，使该引脚持续有效，则系统处于安全状态。
▲ R／B（Ready／Busy，就绪／忙输出）
  这是用于向外部通知器件内部操作状态的信号，是漏极开路输出。如果内部正在进行操作，则该信号有效（为低电平）；如果内部操作完成，则该信号无效（为高电平）。这些控制信号的组合与工作状态的关系如表所示。