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最近在测试NMOSFET的时候,发现一个问题,求大神解答,具体问题如下
问题一: 就是在测试MOS管的耐冲击电流的是候,给个脉冲,然后用负载机带电流去冲击,脉冲分几个挡位,比如10ms冲击一次,就发现个问题,在关断的时候在DS之间会有很高的尖峰,冲击电流越大,这个电压越高,特别是超过100A的时候,超过MOS管的耐压,继续下去就会烧掉,在DS端加电容,反而没有这个问题 问题二:在问题一的基础上DS间加电容,测试两种差不多的MOS管,发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小,这是为什么,两种级别差不多的MOS,里面的芯片DIE大的反而冲击电流小?,这是什么原因,耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗 |
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芯片越大,电容越大,可以看一下开启和关断的波形
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