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` 对于LED产品在可靠性的视角来看,光输出功率以及电性能随着时间的推移逐渐退化[1-3] 为了满足客户对产品可靠性的要求,研究失效机理显得尤为重要。 前些年有些科研人员针对负电极脱落开展失效分析工作,并最终在封装胶的生产过程中提出指导性的建议。 当时采用结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)的分析手段对退化样品芯片进行了表面形貌表征和微区成分分析。 a. SEM 观察到退化样品负极脱落处表面粗糙不平,且透明导电薄膜存在颗粒状结晶 b. EDS 检测发现负极脱落处存在腐蚀性氯元素,并在封装胶中检测出氯 分析:封装胶中残留的氯离子与负极中 Al 层发生的电化学腐蚀是致使样品失效的主要原因 结论:在封装胶生产 过程中严格去除氯离子等具有侵蚀性的离子,避免 对电极的腐蚀至关重要[4] SEM+EDS是研究失效机理的失效分析手段,杭州柘大飞秒检测威廉希尔官方网站
有限公司的科研人员 通常在同一台仪器上进行电镜能谱分析工作采用SEM+EDX相结合的分析方法。 杭州柘大飞秒检测威廉希尔官方网站
有限公司立足浙江大学国家大学科技园光与电威廉希尔官方网站
开放实验室,利用飞秒检测威廉希尔官方网站
,通过观测分子、原子、电子、原子核等粒子飞秒级(一千万亿分之一秒)的振动、能级跃迁,开展分析工作。 下面是一台杭州柘大飞秒检测威廉希尔官方网站
有限公司购置的带能谱的扫描电子显微镜(EM+EDX) ,用在科研人员的分析检测工作上。 冷场发射Hitachi S-4800附带能谱分析仪(EDX) 型号:S-4800 厂商: 日立 冷场发射 附件名称及规格 二次分辨率:1.0nm(15KV);2.0nm(1KV);背散射电子分辨率3.0nm(15KV);加速电压0.5-30KV(0.1KV/步,可变);放大倍率20-800,000;EDX半定量分析(B-U元素);X:0-50mmY:0-50mmZ:1.5-30mm T:-5-+70°R:360° 功能:固体表面微观形貌观察,选区元素定性、定量分析。 LED电极的失效分析工作很大程度上依赖于仪器分析,仪器性能、可靠性尤为重要,当然定期的校验也是必不可少的,为了让更多优质的闲置仪器得到合理的利用,杭州柘大飞秒检测威廉希尔官方网站
有限公司联合国内顶尖名校名企建立仪器共享平台,将百台优质分析仪器进行整合,为各界科研人员提供免预约仪器分析服务。 参考文献: [1] MENEGHESSO G, LEVADA S, ZANONI E, etal. . Failure modes and mechanisms of DC-aged GaN LEDs [J]. Phys. Stat. Sol.(a), 2002, 194(2):389-392. [2] MENEGHINI M, TREVISANELLO L R, ZEHNDERU, et al. . High-temperature degradation of GaN LEDs related to passivation[J]. IEEE Trans. Electron Dev. , 2006, 53(12):2981-2987. [3] 郭春生,张燕峰,万宁,等. 基于反应动力学的 GaNLED 参数退化模型的研究 [J]. 物理学报, 2013, 62 (21): 218503-1-6. [4]夏云云,文尚胜,方方GaN 基白光 LED 电极的失效机制[J].发光学报,2016,37(8):1002-1007 飞秒测试中心:何工:*** 联系地址:浙江省杭州市西湖区西溪路525号浙大科技园 ` |
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【电路设计】+ 双口RAM芯片测试模块(MSP430F122+MAX491)
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