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2017-11-8 16:39:13
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2017-11-8 16:42:44
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过程：
原来的MOSFET是FDMC86183，但是效率很低，在占空比0.5时10V输入。10V70%效率，输入有两个0.3V二极 管，效率就64%左右。效率过低。不知道原因。电感也没有饱和，饱和电流都基本上为2.9A。 开关FDMC86183与官方给出的芯片例子的开关FDS5670的VGSth为2-4V。但是，数据表中画出的特性没有FDS5670好。猜测是VGSTH的原因。 所以选择了VGSTH更小的FDMC8462。但是上电后发现输出为0。MOSFET的控制信号也一直为0。形成了输入电压串联了两个电感和一个电容的通路。 然后又重新换上了FDMC86183，输出10V可行。 结论： MOSFET的调换造成了不能输出10V。 问题： 目的是解决效率问题。选择尝试换MOSFET。但是换了新的 ，连控制都不可行了。 问题1：效率问题的解决方法； 问题2：新的MOSFET为什么不能控制。 |
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2017-11-8 17:18:34
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2017-11-8 17:20:15
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原来开关是FDMC86183，但是效率太低，10V输入时70%。加上前面有两个导通时0.3V的二极管，效率64%左右。太低了。
为了解决这个问题，查看了电感数据表，2.9A饱和，没有什么影响。 查看MOSFET，发现和官网参考电压的FDS5670相比，似乎VGSTH 有点高。于是选择了FDMC8462 但是控制出现了问题。输出为0。为什么呢？ 换上了原来的FDMC86183，可以输出10V。 如何选择MOSFET，这三个有区别么？效率问题是因为MOSFET么？ |
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2017-11-8 17:34:45
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nMOS和整流二极管 峰值nMOS漏极电流是两个电感峰值电流之和： InMOSPEAK = ILpPEAK + ILsPEAK 而最大的漏源电压等于： VnMOSDSMAX = VINMAX + VD + VOUT 流过整流二极管的平均电流与输出电流一致，最大反向电压等于： VDREVMAX = VINMAX + VOUT 根据上面的公式选择两个功率器件的额定值
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本帖最后由 tiangexiao 于 2017-11-8 18:59 编辑
king飞 发表于 2017-11-8 17:51 输入最大24V，输出10V，最大34V；输入电流最大2A，输出电流最大1A，总共3A。 nMOS：FDMC86183：100V47V VGSth_max=4V FDMC8462：20A40V VGSth_max=3V FDS5670： 10A60V VGSth_max=4V 实验时输入电压为5-15V试了一下，实际电压和最大25V，使用FDMC86183后，输出10V，但效率70%（不知原因）；FDS5670为官网参考设计，输入12V，输出5V2A，效率最大83%；使用FDMC8462，只有输入5V左右时可输出10V,其他输入条件下，输出0V，输入5V时效率大约80%。 |
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2017-11-8 18:57:38
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二极管型号V25PN60：25A60V，额定电流时0.45V导通电压。
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2017-11-8 19:05:44
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三个MOSFET的部分数据图
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2017-11-8 19:06:16
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资料不用翻译了。关键是那些参数影响了我的设计PCB，我没弄清楚。 |
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2017-11-9 15:40:33
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就是因为你没弄清楚资料才影响力你的设计哈哈 |
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2017-11-10 15:37:34
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使用鑫鼎盛的TX4139直流降压芯片时，目的是输入24V，输出11V，为啥实际测量输出电压为20.2V？
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我可以帮你翻译这个芯片的资料 嘿嘿
