[资料]

理解功率MOSFET的Coss产生损耗

2017-3-28 11:17:44 7261 笔记本电脑数据表电源开关

0 功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能的能量将会通过MOSFET放电，产生损耗。许多资料中，理论的Coss放电产生的损耗为：从上式可以看到，Coss放电产生的损耗和容值、频率成正比，和电压的平方成正比。在功率MOSFET的数据表中，Coss对应产生的功耗就是Eoss。一些低输入电压的应用，如笔记本电脑主板的Buck变换器输入电压为19V，通讯系统板极Buck变换器输入电压为12V，由于工作电压比较低，Coss产生的损耗较小，相对于跨越线性区产生的开关损耗通常可以忽略不计，因此在低压功率MOSFET的数据表中，通常不会列出Eoss。常用的ACDC变换器如Flyback结构的电源系统，输入的电压范围为100-380VDC，甚至更高的输入电压，Coss产生的损耗所占的比例非常大，甚至成为主导因素，因此在高压功率MOSFET的数据表中，列出Eoss的值。目前有些中压的功率MOSFET的数据表中也列出了Eoss的值。功率MOSFET的电容特性是非线性的，Coss容值会随着VDS电压变化，因此基于Coss的Eoss也是非线性的，如下图所示。因此，如本文开始部分，直接使用传统电容储能的公式电容的放电损耗是不正确的。图1：AON6162的Coss和Eoss曲线 Coss曲线的测量方法前面的文章已经介绍过，对Coss的曲线积分，可以得到Qoss：如图2所示，VDS为30V时对应的Qoss就是图中Coss曲线、水平X轴、VDS=30V垂直线和垂直Y轴所包围的面积。在不同的电压下得到不同的Qoss，就可以作出Qoss-VDS曲线。图2：基于Coss计算Qoss 图3：AON6162的Qoss曲线那么如何得到Eoss？可否根据Qoss-VDS的曲线，再对Qoss积分，就可以得到Eoss？电容Coss随VDS电压变化，不同的电压下容值不同，因此不能使用上面积分的方法来计算Eoss。考虑到电容Coss随VDS电压变化，为了计算VDS-Eoss曲线，VDS电压从0开始，使用小的电压增幅间隔，例如：0.5V、1V、1.5V、2V、2.5V、3V、3.5V、。。。60V，在不同的电压下可以得到相应的电容值。当电压从VDS(n)增加到VDS(n+1)时，例如从1V增加到1.5V，增加的Qoss可以由下式计算：使用上述方法，计算的AON6162的VDS-Eoss曲线如图4所示。图4：AON6162的Eoss曲线上述方法中有一些误差，分度越细，误差越小。 ------微信公众号融创芯城（一站式电子元器件、PCB/PCBA购买，项目众包，方案共享平台） 1
举报淘帖0 只看该作者相关推荐 • MOSFET功率损耗详细计算 571 • 集成高侧MOSFET中的开关损耗分析 460 • 如何更加深入理解MOSFET开关损耗？ 3036 • 【干货】MOSFET开关损耗分析与计算 4292 • 功率MOSFET的开关损耗：关断损耗 6689 • 功率MOSFET的开关损耗：开通损耗 6409 • 理解功率MOSFET的寄生电容 17718 • 功率MOSFET的阻性负载开关特性 5883 • 理解功率MOSFET的开关过程 6806 • 理解功率MOSFET管的电流 11436