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如题！晶圆切割时会有崩缺（背崩多），都有哪些参数在影响切割？
如水、刀等，具体的都有哪些，一般都有什么样的联系？ 又如：刀的转速，高怎样，低怎样？与产品本身的厚度之类有没有关系 求大神赐教！ 
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小学生求教了。有相关的知识嘛？
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晶圆上薄膜是不是有问题，切刀确认了没问题吗。
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2017-4-5 10:13:35
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谢谢分享
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集成电路封装测试材料设备采购销售信息群：108784692
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背崩多，可以从以下几方面去考虑（先保证切割水正常的前提下）
1.Z2的刀刃长度不宜过短，（刀刃长度>晶圆厚度+蓝膜的切割深度+100um,是保证刀切割状况良好的前提） 2.Z2的进刀速度不宜过快，就拿Disco的切割机来说，正常的状况下一班进刀速度保持在20就好 3.和wafer本身的silicon有关系，有的silicon制作工艺不行，无论将刀怎么优化，都无法避免晶圆背崩较大的状况。 4.保证Z2刀痕在Z1的刀宽内，最好居中，不然容易造成Z2单刀切入蓝膜。由于切割深度过大，无法保证Z2刀的切割稳定性 |
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哦，还有一点忘记说了，作业之前一定要磨刀，无论是堪用刀还是新刀，磨刀的目的就是要保证刀的砖石颗粒裸露，且磨锐利
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Silicon weafer 本質差的話,改善什麼都沒用,切割設備的精度跟速度調整也很重要.
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