| 开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法： 1MHZ以内----以差模干扰为主 |
3.小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解 电容可选用较大些)。 |
采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种 干扰超标并以解决， |
1.对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模 电感量; |
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑 制； |
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一 对普通整流二极管1N4007。 |
5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以 上干扰有较大的衰减作用; |
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。 对于20--30MHZ， |
1.对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位 |
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的 |
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感； 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数； 7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。 9. 可以用增大MOS驱动电阻. |
30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起 1.可以用增大MOS驱动电阻； |
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决； 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感； 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路； 6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容； 8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可 |
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能 |
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起 1.可以在整流管上串磁珠； |
3.可改变一二次侧跨接 Y 电容支路的阻抗,如 PIN 脚处加 BEAD CORE或串接适当的电阻； |
4.也可改变 MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如 铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射. |
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过 EMI标准 补充说明: |
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述. 开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对 EMI.,请密切注意此 点. |
开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密 切注意此点. |
主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对 EMC 有一定的影响.请密切注意此点. |
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写得不错 
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谢谢，学习
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