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【来源】：《功能材料与器件学报》2010年01期
【摘要】：在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p-AlGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600～850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化。实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析。 【关键词】：p-AlGaN;;高Al组分;;欧姆接触 【DOI】：CNKI:SUN:GNCQ.0.2010-01-017 【正文快照】：0引言AlxGa1-xN三元系合金,随着Al组分由0～1的变化其带隙在3.4～6.2eV之间连续变化,它具有高的热导率、适中的介电常数、强的化学稳定性等优点,在紫外探测器、紫外发光二极管、紫外激光器、高温高频大功率电子器件等领域具有广泛应用。在制备紫外探测器方面,AlxGa1-xN材料带隙 
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