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【作者】：王丹;关艳霞;
【来源】：《电子设计工程》2010年02期 【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。 【关键词】：SJMOSFET;;FS-IGBT;;超结;;场截止;;缓冲层 【DOI】：CNKI:SUN:GWDZ.0.2010-02-053 【正文快照】：以功率器件为核心的现代电力电子器件,已成为人类生活必不可少的一部分。功率器件的应用范围从军用的导弹、航天、卫星等到民用的汽车、电机驱动、焊机、UPS电源和通讯电源、家用电器等领域,可以说现代电力电子器件已经渗透到国计民生的各个领域。功率MOSFET与IGBT是现代电力电 
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