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电子发烧友网>制造/封装>半导体威廉希尔官方网站 >工艺/制造>Soitec收购EpiGaN nv,氮化镓(GaN)材料加入优化衬底产品组合

Soitec收购EpiGaN nv,氮化镓(GaN)材料加入优化衬底产品组合

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有关氮化半导体的常见错误观念

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第三代半导体材料氮化/GaN 未来发展及威廉希尔官方网站 应用

采用热传导率更优的SiC做衬底,因此GaN功率器件具有较高的结温,能在高温环境下工作。不同材料体系射频器件功率-频率工作区间GaN将在高功率,高频率射频市场优势明显相比于4G,5G的通信频段往高频波段
2019-04-13 22:28:48

请问氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

谁发明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席威廉希尔官方网站 官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

重磅突发!又一家芯片公司被收购,价格57亿

一个小时前,也就是美国东部当地时间3月2日下午2:05,英飞凌官宣收购氮化初创公司GaN Systems,交易总值8.3亿美元现金(57亿人民币)。GaN Systems 成立于2008年,是一家
2023-03-03 16:48:40

高压氮化的未来分析

就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化 (GaN) 威廉希尔官方网站 搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的威廉希尔官方网站 ,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高压氮化的未来是怎么样的

我们全新的白皮书:“用一个集成驱动器优化GaN性能。”• 通过阅读博文“我们一起来实现氮化的可靠运行”,进一步了解TI如何使GaN更加可靠。• 加入TI E2E™ 社区氮化 (GaN) 解决方案论坛,寻找解决方案、获得帮助、与同行工程师和TI专家们一起分享知识,解决难题。
2018-08-30 15:05:50

陶氏电子材料推出综合光产品组合 扩展LED材料威廉希尔官方网站

陶氏化学旗下业务部门陶氏电子材料今日推出由陶氏材料产品组合研发的综合光产品组合,此举扩展了该公司在发光二极管 (LED) 材料市场中的专业材料威廉希尔官方网站 。
2012-03-30 10:20:20776

#氮化 #英飞凌 8.3亿美元!英飞凌完成收购氮化系统公司 (GaN Systems)

半导体氮化
深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-10-25 16:11:22

Soitec收购EpiGaN nv,整合氮化镓优势

法国Soitec半导体公司宣布已与氮化镓(简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:513895

SoitecEpiGaN N.V更名为Soitec Belgium N.V. ,拓展用于5G射频和功率系统产品组合

Soitec一年前收购氮化镓(GaN)外延硅片材料供应商。加入Soitec后,EpiGaN 成为旗下氮化镓业务部门,进一步加强了公司针对射频和功率器件市场的优化衬底产品组合氮化镓拓展
2020-07-14 14:19:34775

Soitec成立30年,优化衬底焕发新生,迎通信、汽车、智能设备强劲增长

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)衬底是具有特定晶面和适当电学,光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。法国Soitec公司就是设计和生产优化衬底的半导体硅片厂商。其FD-SOI、RF-SOI以及
2022-12-28 15:49:592156

几种led衬底的主要特性对比 氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为:衬底GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中,衬底是整个产业链的基础。 作为衬底GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料
2023-08-10 10:53:31664

氮化衬底和外延片哪个威廉希尔官方网站 高 衬底为什么要做外延层

氮化衬底是一种用于制造氮化镓(GaN)基础半导体器件的基板材料GaN是一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的电子特性和高频特性,适用于高功率、高频率和高温应用。 使用氮化衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379

氮化镓(GaN)威廉希尔官方网站 创新概况 氮化衬底威廉希尔官方网站 是什么

氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料氮化材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541

晶能光电:硅衬底GaN材料应用大有可为

衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显威廉希尔官方网站 和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317

号称“氮化镓龙头企业”,英飞凌完成 8.3 亿美元收购 GaN Systems 公司

渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓(GaN)功率转换解决方案产品组合和领先的应用威廉希尔官方网站 。已获得所有必要的监管部门审批,交易结束后,GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前,英飞凌共有 450 名氮化镓威廉希尔官方网站 专家和超过 350 个氮化镓威廉希尔官方网站 专利族。英飞凌表示,公司和 G
2023-10-26 08:43:52207

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