借助采用五项突破性威廉希尔官方网站
的全新 NVIDIA Pascal GPU 架构，Tesla P100 能发挥无与伦比的性能和效率来运行对计算能力要求最高的应用程序。
2016-04-07 17:39:58
1901 其实早在2002年Intel即发现了这一威廉希尔官方网站
，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1对晶体管输入功率，使PN结热饱和VBE的后续值：测定VBE2从这个结果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
: ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关时的功率损耗，所以要确认OFF→ON时和ON→OFF时的扩大波形。2. 是否一直满足绝对最大额定值？确认绝对最大
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
电路为电流放大倍数hFE=200的晶体管开关电路，试计算当5V的电压连接着100Ω的电阻加载到集电极（晶体管处于饱和状态）时的基极电流IB。这里，基极电流的富裕度为5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管以外，还制造集成多个晶体管的复合晶体管。包括内置电阻的数字晶体管、集多个晶体管于一体的晶体管阵列，还有构成简单电路的晶体管单元。※数字晶体管内置电阻的晶体管。它是在电路设计中将频繁使用的部分
2019-04-10 06:20:24
与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。基本工作特性比较这三种晶体管
2018-11-28 14:29:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极
2020-06-09 07:34:33
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、威廉希尔官方网站
人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
型号的晶体管。 5．开关三极管的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
能使晶体管的Ic随之增大时（即（Vce-Ic*Rc）-Vb=常数时），我们就称此晶体管“进入深饱和状态”。此时，晶体管的基极电位为最高（此现象，对N-P-N晶体管而言。如果是P-N-P型晶体管，则只要
2012-02-13 01:14:04
(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1对晶体管输入功率，使PN结热饱和VBE的后续值：测定VBE2从这个结果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
英伟达不断推出GPU卡，并且实现多卡互联NVLink，实际整个系统会累积到一个较大的公差，而目前市面上已有的连接器只能吸收较少的公差，这个是怎么做到匹配的呢？
2022-03-05 16:17:06
利润为11亿美元，是英伟达加密货币业务部门本季度利润的65倍。有意思的是，比特大陆今年一季度实现利润11亿美元，几乎刚好是英伟达利润总额的两倍。尽管英伟达已经是全球市场上最大的显卡和图形芯片制造商，但在
2018-08-24 10:11:50
GPU威廉希尔官方网站
大会，从黄仁勋那里听到：数据中心已成为全新的计算单元。黄仁勋之所以有这样的底气，就在于这次发布会上推出了一款全新处理器DPU，以及围绕该处理器的软件生态架构DOCA。据英伟达的介绍，DPU可以
2022-03-29 14:42:53
在 8 月 14 日的 SIGGRAPH 2018 大会上，英伟达 CEO 黄仁勋正式发布了新一代 GPU 架构 Turing（图灵），以及一系列基于图灵架构的 GPU，包括全球首批支持即时光线追踪
2018-08-15 10:59:45
倍，并且能够支持每个主要的深度学习框架。在此架构基础上，NVIDIA创造了专为GPU深度学习所设计的超级计算机DGX1。NVIDIA的DGX-1基于Tesla P100加速卡(研发费用高达20亿美元
2018-06-11 08:20:23
GPU计算平台。阿里云推出国内首个基于英伟达NGC的GPU优化容器3月28日，在2018云栖大会·深圳峰会上，阿里云宣布与英伟达GPU 云 合作 （NGC），开发者可以在云市场下载NVIDIA
2018-04-04 14:39:24
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
IB3042-5晶体管产品介绍IB3042-5报价IB3042-5代理IB3042-5咨询热IB3042-5现货,李先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra Technologies公司成立
2019-05-14 11:00:13
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
上与代号为至强可扩展芯片配对，该计算机将提供两次性能测试。这个优秀的GPU提供45TFLOPS的FP32性能。有近1000亿个晶体管，基于堆叠设计，多达128个Xe图形内核紧密连接在一个网格中。该芯片
2022-03-29 14:41:33
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
NPN晶体管的b处没有电压输入时，c和e之间没有电流流动，三极管处于截止状态。在图（b）中，当正电压输入到NPN晶体管的b时，e的N区的负电子被b中P区的正电子吸引。 由于发电厂的作用，它们冲向（扩散
2023-02-15 18:13:01
NPT25100P射频晶体管产品介绍NPT25100P报价NPT25100P代理NPT25100P咨询热线NPT25100P现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关
2018-09-26 08:54:30
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
的切换速度可达100GHz以上。双极晶体管 双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、威廉希尔官方网站
人员和电路设计人员的共同努力，改进
2010-08-13 11:38:59
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
设计芯片和智能设备产品时，却不得不考虑其影响。 芯片里程表 明尼苏达大学电气工程教授Chris H. Kim早在10多年前就开始对晶体管老化对芯片和电子系统的影响开始进行研究和试验。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管威廉希尔官方网站
）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET？ 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点，这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
原子的P100下载器经常偶发性出现下载失败在同一个板子上死活刷不进去能刷进去就刷进去了
而且这个问题很有意思
看提示
目标芯片连接成功
解除读保护成功
然后就开始失败
2023-09-28 08:06:30
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
你好，我们想在以下结构中选择特斯拉P40和P100。你有什么建议？Citrix XenDesktop 7.15.2XenServer 7.4VDA：Windows 10应用：Teamcenter
2018-09-25 14:53:25
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流 : ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
我在三台Cisco UCS主机上安装了3个Tesla M10 GPU。它们被用于Horizon 7中的一个池中，覆盖80多个独立的VM。我的任务是看看GPU的使用量。当我运行nvidia-smi
2018-09-30 10:43:36
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
晶体管使用的电流的最大值解说DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。此数字晶体管流过IC=100
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。此数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对
2019-04-22 05:39:52
晶体管以外，还制造集成多个晶体管的复合晶体管。包括内置电阻的数字晶体管、集多个晶体管于一体的晶体管阵列，还有构成简单电路的晶体管单元。※数字晶体管内置电阻的晶体管。它是在电路设计中将频繁使用的部分
2019-05-05 01:31:57
理解，调整了松下X-GaN晶体管中晶格缓冲层的厚度，以限制p漏极与衬底的泄漏，旨在实现10年运行时失效率小于0.1％（Vds = 480V和Tj = 100℃）。 因此，HTRB测试是评估XGaN
2023-02-27 15:53:50
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)威廉希尔官方网站
的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
，典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦，增益为16dB,并具备低热阻特性。 新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管，额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
扩展了旗下 16 纳米 (nm)Virtex® UltraScale+™ 产品系列。VU19P拥有 350 亿个晶体管，有史以来单颗芯片最高逻辑密度和最大I/O 数量，用以支持未来最先进 ASIC 和 SoC 威廉希尔官方网站
的仿真与原型设计，同时，也将广泛支持测试测量、计算、网络、航空航天和国防等相关应用。
2020-11-02 08:34:50
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
从4月份发布到现在半年了，Tesla P100实际上只是纸面的强大，因为正式出货是今年底明年初。在华盛顿的GTC大会上，超微（Super Micro）宣布了新一代SuperServer服务器，最多支持10块Telsa P100加速卡，浮点性能高达187TFLOPS。
2016-10-27 14:10:141434 根据NVIDIA官方消息，NVIDIA在硅谷2016 GTC（GPU威廉希尔官方网站
大会）上发布了多项人工智能、VR相关威廉希尔官方网站
，其中包括采用Tesla架构、支持NVli<x>nk的Tesla P100
2017-10-11 10:16:08
0 据国外媒体报道，图形处理器厂商英伟达周四推出了他们首款基于安培架构的GPU英伟达A100，采用7nm工艺制造，集成超过540亿个晶体管。
2020-05-15 10:33:421698 英伟达将向中国推出芯片A800可替代被禁的A100 英伟达将向中国推出芯片A800，同时英伟达公司证实这款新的芯片A800符合美国出口管制规定。 A800 GPU或者说是一种曲线救赎，A800算是
2022-11-08 16:07:192715 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）当地时间本周一，英伟达官方确认将面向中国客户推出一款型号为A800的GPU，以替代此前受到出口管制的A100 GPU芯片。英伟达表示，A800符合美国政府的出口管制条例
2022-11-09 07:15:017427 版本制程（4N）打造，单块芯片包含 800 亿晶体管。 A100都是非常强大的GPU，A100配备高达6，912个CUDA核心，A100是英伟达推出的一款强大的数据中心GPU，采用全新的Ampere
2023-08-07 17:32:5910412 英伟达A100和H100的区别 英伟达A100和H100是两种不同的产品。A100是英伟达在2020年推出的一款基于Ampere架构的数据中心GPU，主要用于高性能计算和人工智能应用。A100具有
2023-08-07 18:06:0322947 英伟达A100的算力是多少？ 英伟达A100的算力为19.5 TFLOPS（浮点运算每秒19.5万亿次）。 V100 用 300W 功率提供了 7.8TFLOPS 的推断算力，有 210 亿个晶体管
2023-08-08 15:28:4521156 半导体芯情了解到，A100是英伟达最新推出的一款高性能计算芯片，采用了全新的Ampere架构，Ampere架构是NVIDIA于 GTC 2020发布的GPU架构，NVIDIA Ampere 由540亿晶体管组成，是7nm芯片。
2023-11-14 16:30:16561 
在英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名为GB200，将于今年晚些时候上市。
2024-03-20 11:32:04349 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）当地时间本周一，英伟达官方确认将面向中国客户推出一款型号为A800的GPU，以替代此前受到出口管制的A100 GPU芯片。英伟达表示，A800符合美国政府的出口管制条例
2022-11-09 09:23:596683
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