半导体封装篇:采用TSV的三维封装威廉希尔官方网站

　　2011年，半导体封装业界的热门话题是采用TSV(硅通孔)的三维封装威廉希尔官方网站 。虽然TSV威廉希尔官方网站 此前已在CMOS图像传感器等产品上实用化，但始终未在存储器及逻辑LSI等用途中普及。最近，存储器及逻辑LSI方面终于出现了使TSV威廉希尔官方网站 实用化的动向。

　　存储器方面，采用TSV威廉希尔官方网站 的宽I/O DRAM的发布接连不断。采用TSV威廉希尔官方网站 层叠并连接多个DRAM芯片，不仅可实现产品的小型化及大容量化，还可通过增加总线宽度提高数据传输速度，并降低功耗。

　　首先，2011年3月韩国海力士半导体宣布，采用TSV威廉希尔官方网站 ，成功层叠了8层40nm级2Gbit DDR3 DRAM芯片。TSV威廉希尔官方网站 与原来的引线键合威廉希尔官方网站 相比，使运行速度提高了50%，功耗降低了40%。

　　3个月之后的2011年6月，尔必达存储器开始样品供货采用TSV威廉希尔官方网站 的32位宽8Gbit DDR3 SDRAM,采用TSV威廉希尔官方网站 层叠了4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片与一个接口芯片，并实现了单封装。

　　2011年8月，韩国三星电子宣布开发出了采用TSV威廉希尔官方网站 的32GB RDIMM(registered dual inline memory module),该产品层叠了30nm级DDR3 SDRAM，并以TSV连接而成。已开始样品供货。

　　2011年12月，美国IBM与美国美光科技公司宣布开始生产基于TSV的新型存储器“Hybrid Memory Cube”(HMC),据两公司介绍，采用TSV威廉希尔官方网站 ，可将每个LSI的最大数据传输速度提高到128GB/秒。

　　针对这些动向，日本电子信息威廉希尔官方网站 产业协会(JEITA)在2011年5月发布的《2011年度版日本封装威廉希尔官方网站 发展蓝图》中，加入了基于TSV的宽I/O DRAM威廉希尔官方网站 的相关内容,而且，目前JEDEC也在为采用TSV的DRAM制定标准。

　　逻辑LSI方面，在采用TSV威廉希尔官方网站 的硅转接板上平面封装逻辑LSI芯片的“2.5D”威廉希尔官方网站 已全面进入实用化阶段。比如，美国赛灵思公司2011年10月开始样品供货在硅转接板上封装4个28nm工艺FPGA芯片、相当于3000万门ASIC电路的FPGA产品“Virtex-7 2000T”,这是一种通过将大面积芯片分割为4部分来提高芯片成品率的新方式。

　　关于这种2.5D威廉希尔官方网站 以及未来的三维封装威廉希尔官方网站 ，赛灵思的合作企业——***台积电(TSMC)在2011年11月举行的威廉希尔官方网站 研讨会上，宣布了TSV的量产计划等,因TSV威廉希尔官方网站 采用半导体工艺，因此也为台积电这样的代工企业涉足封装领域创造了契机。有人指出，在介于半导体前工序和后工序之间的“中端”领域，潜藏着新的发展机会.

　　另外，在2011年12月举行的“Semicon Japan 2011”的威廉希尔官方网站 研讨会上，法国Yole Developpement就赛灵思的硅转接板公开了成本推算结果。该结果显示，每块40mm×40mm硅转接板的生产成本约为32美元。从该数字可以看出，目前采用TSV威廉希尔官方网站 的硅转接板仍十分昂贵。不过，Semicon Japan 2011上展出了很多TSV制造装置,估计今后业界将加快降低TSV威廉希尔官方网站 成本的步伐。