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三星NAND闪存芯片销量开始全面超越东芝

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2018-07-13 14:22:053682

哪些芯片厂商全面看好NAND闪存,正大刀阔斧地加码3D NAND闪存产能?

美光、三星释放信号仅是个开端,SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能,为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见,3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865

三星开始量产第五代V-NAND闪存,了解其性价比

面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167

东芝推出基于单层存储单元NAND闪存的BENAND产品

东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元(SLC)NAND闪存,并且内嵌错误纠正功能(ECC)。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

东芝开始出样64GB NAND闪存芯片

关键词:东芝 , NAND , 闪存 , 芯片 芯片制造商东芝公司宣布已开始采样64GB的NAND闪存芯片,并将其与控制芯片封装在一起。 东芝目前向包括苹果在内的许多智能手机和平板电脑制造商提供
2018-11-09 17:28:02268

东芝开始交付业界首款嵌入式NAND闪存模块的样品

(GB)嵌入式NAND闪存模块已经开始交付样品。该模块完全符合JEDEC UFS 1.1版本标准,专为包括智能手机和平板电脑在内的各种数码消费品打造。 样品主要用于由操作系统厂商对UFS I/F及其主芯片组中的协议进行评估。 由于主芯片组数据处理速度的提高以及无线连接带宽的扩大,市场上对可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215

东芝NAND闪存芯片工厂将在7月中旬前全面恢复生产

6月28日,据外媒体报道,东芝存储公司(Toshiba Memory)表示,其位于日本中部的NAND闪存芯片工厂将在7月中旬前恢复全面生产。
2019-06-29 10:30:345239

三星借机上调闪存芯片价格 幅度10%左右

据外媒报道,受半导体材料限制出口影响,及东芝工厂停电事故。三星电子将借机带头调整NAND Flash闪存芯片的价格,幅度10%左右!
2019-07-12 11:28:062785

东芝开始研究5bitPLC的NAND闪存 PLC将有更少的PE和更慢的性能

根据Tom‘s Hardwared的报道,东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存,以及PLC的NAND开发。
2019-08-26 16:15:583539

中国NAND闪存企业开始崛起或将挤身前列

2019年全球市场“主要商品与服务份额调查”显示,用于保存数据的NAND闪存的市场份额排名依旧是三星电子第1、铠侠(KIOXIA,原东芝存储器)第2。不过,眼下中国企业开始崛起,有可能挤身前列。
2020-09-07 16:18:55801

NAND闪存芯片有哪些类型

我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052

三星NAND闪存市场将面临哪些挑战?

众所周知,三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位,占有30%以上的份额。但是,由于竞争对手开始表现出更好的工艺,它们似乎在挑战三星的威廉希尔官方网站 能力。
2021-02-26 15:49:372217

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281

三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备

 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响,三星nand销量增加,从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:00833

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22220

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