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日本设立共同研究室 加快新一代功率半导体氮化镓功研发
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5G和电动车的兴起让化合物半导体成为新贵
。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。三大化合物半导体材料
2019-05-06 10:04:10
5G无线与对集成度更高、速度更快的多功能设备有哪些新要求呢？
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络威廉希尔官方网站
的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
5G相关核心产业链有哪些？
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展，产业化再进一步
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化镓: 历史与未来
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的威廉希尔官方网站
才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓一瓦已经不足一元，并且顺丰包邮？联想发动氮化镓价格战伊始。
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化镓功率芯片如何在高频下实现更高的效率？
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
氮化镓功率芯片的优势
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓GaN 来到我们身边竟如此的快
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着威廉希尔官方网站
的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
氮化镓GaN威廉希尔官方网站 助力电源管理革新
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体威廉希尔官方网站
需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
氮化镓充电器
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓发展评估
氮化镓功率晶体管的引入，氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品，并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
氮化镓威廉希尔官方网站 在半导体行业中处于什么位置？
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化镓威廉希尔官方网站 推动电源管理不断革新
封装威廉希尔官方网站
的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体威廉希尔官方网站
需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
氮化镓激光器的威廉希尔官方网站 难点和发展过程
限制层，为像GaN材料体系这样性质差异大的半导体激光器提供了新的研究思路，有望进一步提高氮化镓激光器性能。 未来GaN基蓝光激光器的效率将进一步提升，接近GaAs基红外激光器的电光转化效率
2020-11-27 16:32:53
氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力
应对能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体威廉希尔官方网站
，硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能，并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗？
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
ETA80G25氮化镓合封芯片支持90-264V输入，支持27W功率输出
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN基微波半导体器件材料的特性
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件威廉希尔官方网站 分会在深圳召开
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、威廉希尔官方网站
成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场和应用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率威廉希尔官方网站
，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化镓器件成本优势
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
MACOM：适用于5G的半导体材料硅基氮化镓（GaN）
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓威廉希尔官方网站
的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓威廉希尔官方网站
的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体威廉希尔官方网站
。这就
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
ST助力NTT Plala推出先进新一代智能IPTV机顶盒
21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，日本知名网络/IPTV服务商NTT Plala株式会社于4月17日推出的新一代先进机顶盒采用了意法半导体Orly 系统级
2013-09-22 11:35:00
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21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，日本知名网络/IPTV服务商NTT Plala株式会社于4月17日推出的新一代先进机顶盒采用了意法半导体Orly 系统级
2013-11-08 10:36:06
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓发展威廉希尔官方网站
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展威廉希尔官方网站
编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
《炬丰科技-半导体工艺》n-GaN的电化学和光刻
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来，氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
【基础知识】功率半导体器件的简介
在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子威廉希尔官方网站
的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
【威廉希尔官方网站 干货】氮化镓IC如何改变电动汽车市场
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
三星电子在日本新设半导体研发中心，聚焦系统LSI芯片业务
韩国《每日经济新闻》3月15日消息，三星电子已在日本建立一个新的半导体研发中心，将现有的两个研发机构合二为一，旨在推进其芯片威廉希尔官方网站
并雇佣更多优秀研发人员。据报道，三星电子于去年年底重组在日本横滨和大阪
2023-03-15 14:04:55
为什么氮化镓(GaN)很重要？
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
为什么氮化镓比硅更好？
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用呢？
推广应用和推广碳中和”的政策。日本大坂大学的森勇介教授，一直在从事高品质的半导体研究，这一次，我们就氮化镓的研发情况、研究成果对未来的应用前景产生的影响，森教授进行了访谈。目前，功率半导体的应用广泛，其
2023-02-23 15:46:22
主流的射频半导体制造工艺介绍
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
什么是氮化镓功率芯片？
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化镓功率芯片？
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化镓威廉希尔官方网站
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件？
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
什么阻碍氮化镓器件的发展
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268
概述：NV6127是一款升级产品，导通电阻更小，只有 125 毫欧，是氮化镓功率芯片IC。型号2：AON6268丝印：6268属性：分立半导体产品 - 晶体管封装：DFN-8参数FET 类型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
光隔离探头应用场景之—— 助力氮化镓（GaN）原厂FAE解决客户问题
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到威廉希尔官方网站
挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
国内功率半导体需求将持续快速增长
威廉希尔官方网站
及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间较大。从中长期看，国内功率半导体需求将持续快速增长。根据前瞻产业研究院预测，到2026年分立器件的市场需求将超过3,700亿元。近年来物联网
2023-04-14 13:46:39
国防威胁减除局寻求抗辐射高频模拟和射频半导体
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
基于微带W ilkinson功分器的功率合成电路的研究
随着半导体材料和工艺的不断发展，微波/毫米波功率半导体器件的输出功率量级越来越大， L 波段功率晶体管的脉冲功率已达千瓦量级; X波段功率砷化镓场效应管连续波达到几十瓦，脉冲功率达到500W。但限于
2019-07-09 06:15:48
如何学习氮化镓电源设计从入门到精通?
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课，氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
安森美半导体与奥迪携手建立战略合作关系
安森美半导体已成为主要汽车半导体威廉希尔官方网站
的一个全球领袖。 安森美半导体是自动驾驶系统的图像传感器、电源管理和互通互联领域的一个公认的佼佼者。此外，公司的广泛电源方案组合，包括模块和碳化硅（SiC）/氮化镓
2018-10-11 14:33:43
将低压氮化镓应用在了手机内部电路
带半导体，相比常规的硅材料，开关速度更快，具有更高的耐压。在降低电阻的同时，还能提供更高的过电压保护能力，防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS，氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
微波射频能量:工业加热和干燥用氮化镓
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体威廉希尔官方网站
与这些过程相结合，以更低的成本进行广泛使用，从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比，射频能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
意法半导体与远创达签署LDMOS威廉希尔官方网站 许可合作协议
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓
步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。GaN和SiC同属
2019-07-05 04:20:06
有关氮化镓半导体的常见错误观念
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓威廉希尔官方网站
很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
未来5年，GaN功率半导体市场会发生哪些变化？
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
求MC9S12XDT256共同研究的小伙伴
本人刚刚接触MC9S12XDT256，求MC9S12XDT256共同研究的小伙伴，共同学习共同进步，或者来个大神帮忙指导下！！QQ：1139471346
2016-06-30 19:48:28
硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势？
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)威廉希尔官方网站
成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
的首选威廉希尔官方网站
。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片威廉希尔官方网站
及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
碳化硅与氮化镓的发展
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及威廉希尔官方网站 应用
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选威廉希尔官方网站
。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
第三代半导体材料盛行，GaN与SiC如何撬动新型功率器件
的一种最具有优势的半导体材料.并且具有远大于Si材料的功率器件品质因子。SiC功率器件的研发始于20世纪90年代.目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。2004年SiC功率MOSFET不仅在高
2017-06-16 10:37:22
第三代半导体科普，国产任重道远
未来电动汽车的动力全要靠三代半导体的功率器件了，碳化硅、氮化镓都会在电动汽车里有很大的市场。仅功率器件一项，每辆车就会增加大约300美元的需求。（5）机器人我的天，你是要把未来世界都划进来吗？可是事实
2017-05-15 17:09:48
谁发明了氮化镓功率芯片？
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
迄今为止最坚固耐用的晶体管—氮化镓器件
”的器件。它有多好呢？击穿电压是功率晶体管的关键指标之一，达到这个临界点，半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下，氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
重磅突发！又一家芯片公司被收购，价格57亿
，共同开发氮化镓功率器件。之后，两家企业还与富达投资（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投资1.5亿美元，推动公司的产品研发和市场推广。另外，公司还与车规半导体重要原厂瑞萨
2023-03-03 16:48:40
高压氮化镓的未来分析
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新威廉希尔官方网站
开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2022-11-16 07:42:26
高压氮化镓的未来是怎么样的
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说，当你笔记本电脑的电源变热时，其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量，并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料，它的发热量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
日本将与欧洲联手共同研究面向下一代通信标准后的5G
据《日本经济新闻》4月15日报道，日本与欧洲的政企学将联手，面向下下一代通信标准“后5G”启动共同研究。共同研究由日本早稻田大学教授川西哲也主导，欧洲的大学、NEC和德国电信公司等将参与其中。后5G威廉希尔官方网站
的通信速度将达目前普及的通信标准4G的1000倍以上，一张蓝光光碟的高画质电影可在2秒钟内下载完。
2019-04-17 10:07:04
470
470电装深耕SiC功率半导体的研发生产
为实现低碳社会，电装开始量产搭载了高品质SiC（碳化硅）功率半导体的新一代升压用功率模块＊1。2020年12月9日在日本正式发售的丰田新一代“MIRAI”车型就搭载了该产品。 持续布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192
3192美日联手共同研发2纳米半导体芯片
7月29日，美国和日本启动了“2+2”部长级对话的新经济版本。美国和日本宣布，他们将为新一代半导体研究成立一个“新的研发机构”。
2022-08-02 11:28:371017
1017电装研究：日本车载半导体“核心”
向台积电工厂投资400亿日元 “半导体的经济安全保障非常成问题”，11月11日宣布以在日本国内量产新一代半导体为目标的新公司“Rapidus”成立的记者会在东京都内召开。主导设立工作的社长小池
2022-11-23 10:34:13893
893非极性氮化镓基半导体研究
生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场，这降低了辐射复合率。为了防止这样的极化现象，正在进行对非极性或半极性氮化镓基半导体层的研究。
2023-02-05 14:23:451979
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日企Resonac控股宣在硅谷设立半导体封装及材料研发中心
11月22日，日本化工企业Resonac控股宣布，计划在美国加利福尼亚州硅谷设立半导体封装威廉希尔官方网站
和半导体材料研发中心。
2023-11-27 11:27:13619
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