业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级威廉希尔官方网站
的移动端DRAM。 工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入E
2021-07-12 10:57:06
4340 报导，存储器三强三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后，三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:421340 相较于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才导入量产，加速 20 纳米製程转换，在 2016 年才要进入 18/16 纳米製程竞赛的同时，早已抢先导入 20 奈米的叁星，现在直接丢出 10 纳米 8 Gb DDR4 DRAM 量产的震撼弹，意图大幅甩开对手纠缠。
2016-04-07 08:58:031642 手机芯片10纳米大战正式开打！手机芯片龙头高通（Qualcomm）抢在美国消费性电子展（CES）前发表10纳米Snapdragon 835手机芯片，采用三星10纳米制程生产。联发科交由台积电10纳米
2016-11-22 09:01:381139 手机芯片10纳米大战正式开打！手机芯片龙头高通（Qualcomm）抢在美国消费性电子展（CES）前发表10纳米Snapdragon 835手机芯片，采用三星10纳米制程生产。联发科交由台积电10纳米
2016-11-22 10:02:281228 韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光威廉希尔官方网站
应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上，并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights》拆解了分别采用EUV曝光威廉希尔官方网站
和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:362510 摊位位置。摊位确认后如参展单位无法参展，已发生费用将不予退还；若因我单位取消参展，摊位费将全额退还。 附件1：《2013年韩国首尔纳米威廉希尔官方网站
展费用表》附件2：《参展申请表》 展览事业部:国 锋何磊咨询电话
2013-02-24 13:52:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-25 10:26 编辑
6657有4个SRIO通道，可以设置为4个1X、2个2X、1个4X、1个2X+2个1X。如果设置为1个2X+2个1X模式，2X
2018-06-25 06:16:13
DRAM Customization on i.MX6x
2016-09-24 16:04:30
DRAM内存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49:11
某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成，DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析：由题得，16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45
/dram.c:int dram_init(void)./arch/arm/cpu/arm926ejs/orion5x/dram.c:int dram_init (void)
2020-08-17 11:19:18
纳米位移计真的可以测到纳米级别的物体的位移？
2015-07-23 10:36:36
。 1、柔性压电纳米发电机 柔性压电纳米发电机（PENG）的原理是在外力作用下，晶体结构的中心对称性被破坏，形成压电势。例如，将ZnO纳米线两端连接电极，封装在柔性基板上。基板弯曲时引起的ZnO内部
2020-08-25 10:59:35
纳米定位平台跟纳米平台的区别是什么？
2015-07-19 09:42:13
纳米硅粒子有较大的比表面，无色透明；粘度较低，渗透能力强，分散性能好。纳米硅的二氧化硅粒子是纳米级别，其粒径小于可见光光波长度，不会对可见光形成反射和折射等现象，因此不会使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
一、引言伴随着国内运营商的重组，CDMA 1X威廉希尔官方网站
重新受到国内业界的关注，本文主要介绍了CDMA 1X基站射频性能对CDMA 1X网络质量的影响以及CDMA 1X基站射频测试中的关键问题，为CDMA
2019-07-18 06:34:44
CDMA2000 1X EV-DV有什么特点？CDMA2000 1x EV-DV威廉希尔官方网站
的发展始于2000年初，3GPP2于2002年5月确定了CDMA2000 Rel.C版本，2004年3月确定了
2009-06-13 22:38:15
速率偏小，限制了对称性数据业务的应用。为解决上述问 题，2004年3月，3GPP2发布了1x EV-DO Rev A（DO Rev A）版本，除了将前向链路峰值速率提高到3.072Mbit/s之外
2009-11-13 22:23:15
CDMA2000 1x EV-DO的特点CDMA2000 1x EV-DO定位于Internet的无线延伸，能以较少的网络和频谱资源（在1.25MHz标准载波中）支持平均速率为：? 
2009-06-13 22:40:27
CDMA20001x EV-DO如何进行网络部署？ [hide]CDMA2000 1x EV-DO的网络部署可以采用两种方式：独立式和集成式。在独立方式中，1x EV-DO采用独立
2009-06-13 22:40:04
使用NI的 FPGA，开辟了一个1294*1040大小的DRAM，在60HZ帧频下按地址一个MCK一个地址的刷新DRAM中的数据，也就是每个地址刷新时间不到17微秒，一开始出现一个数据都写不进去，我
2018-11-07 23:57:30
在过去两年中，全球DRAM制造商一直在以近乎满负荷的速度运营着自己的内存芯片厂，从而导致了DRAM价格的持续上涨。在IC Insights近期发布的报告中披露，DRAM平均售价（ASP）在2018年
2018-10-18 17:05:17
LPC11U3x/2x/1x用户手册
2022-12-07 07:10:44
LPC435x / 3x / 2x / 1x闪存设备 勘误表
2022-12-07 06:41:21
本人在项目中使用TI-TMS320C6678和K7 FPGA 通过SRIO通信，需要连接为4X，在初始化完成后，通过查询DSP端的“SPnCTL”寄存器，发现连接模式由4X训练成1x，在使用过程中需要保证4X连接才能保证传输带宽，在初始化后如何保证4x变为1x的情况下重新初始化为4X？
2019-01-23 08:56:42
嗨，让我们说使用dcm作为2倍时钟倍频......我知道有两种方法可以反馈dcm，1x或2x ...那么问题是，有什么区别？使用2x反馈的优势是什么？2x反馈会产生更好的占空比吗？谢谢，以上
2019-01-30 10:24:33
苹果晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版（FinFET Plus）将在明年1月全产能量产，搭配整合型扇出晶圆尺寸封装（InFO WLP）的系统级封装（SiP）威廉希尔官方网站
，在x86及ARM架构64位
2014-05-07 15:30:16
，甚至转亏为盈。不过，受第二季电子厂拉货速度减缓影响，DRAM价格4月底显疲态；根据集邦科技的报价，近期DDR3 1Gb eTT（有效测试颗粒）均价已跌破3美元关卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
、DRAM芯片针脚的作用Intel在1979年发布的2188DRAM芯片，采用16Kx1 DRAM 18线DIP封装。是最早出现的一款DRAM芯片。我们现在来解读一下它所代表的意义：“16K x 1”是指
2010-07-15 11:40:15
什么是纳米？为什么制程更小更节能？为何制程工艺的飞跃几乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
、纤维、超细粒子、多层膜、粒子膜及纳米微晶材料等，一般是由尺寸在1～100nm的物质组成的微粉体系。那么究竟什么是新型纳米吸波涂层材料？ 新型纳米吸波涂层材料有什么特性？
2019-08-02 07:51:17
核名头。华为则出八核荣耀X，价格是999元。而今天，联想也公布了其S898t+ 1GB RAM+8GB ROM版本的价格为788元，而2GB RAM+16GB存储空间的价格是988元，两者的处理器都为
2014-03-21 10:02:59
文件。我为配置工具提供了一个自定义的 dcd.bin 文件。
最近我对我的程序进行了更改：我更改了分散文件以将目标文件之一存储在 DRAM 的未缓存部分中。由于我进行了此更改，配置工具在尝试构建
2023-04-28 07:02:14
与DDR2供给吃紧带动整体平均售价上扬。而在整体DRAM厂DRAM营收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高达24.8%，其次为由英飞凌(Infineon)所独立出来
2008-05-26 14:43:30
配变实时监控系统有哪些功能？配变实时监控通讯网络的问题与要求是什么？基于CDMA 1X网络的配电网监控系统由哪些部分组成的？
2021-05-31 06:27:10
嗨，我正在浏览Vritex 6原始手册。我很想知道LUT是否可以同时配置为SRL / CFGLUT5和DRAM（分布式RAM）（不同的配置将用于不同的周期）？如果没有，为什么？如果是这样，怎么样？非常感谢你，
2020-06-18 08:29:16
如何从CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演进CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)两大
2009-06-13 22:42:21
展讯计划在2012年推出WCDMA智能手机芯片，并将主打TD+WCDMA双模芯片。而在LTE产品规划方面，他表示展讯将可能在不久之后推出基于28纳米威廉希尔官方网站
的TD-LTE芯片。拟推28nm TD-LTE
2011-10-27 11:50:07
3D NAND的制程转换及新产能布建，在DRAM的投资则全数集中在1X奈米的制程微缩，并无任何新产能。也因此，虽然第二季是传统淡季，但因DRAM制程由20奈米微缩到1X奈米时遇到瓶颈，市场供给仍有吃紧
2017-06-13 15:03:01
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文简称 ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO网络平台，为用户提供高速、永远在线、透明传输的数据通道。可广泛应用于电力
2011-03-10 16:17:13
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文简称 ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO网络平台，为用户提供高速、永远在线、透明传输的数据通道。可广泛应用于电力
2011-03-11 14:36:58
的布线形成的过程。演示时，在事先用波长为172nm的紫外线烙上图案的薄膜上，滴下数滴每滴为1μL的银纳米墨，然后用刮刀扫过，形成图案。 还做了设想用于触摸面板传感器的演示，在PET基材上，将布线宽度和布线
2016-04-26 18:30:37
有精度可以真正达到纳米的纳米位移计吗？
2015-08-26 10:41:07
是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为了防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM充电，故DRAM的充电速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储
2019-09-18 09:05:09
，CDMA2000 1x和CDMA2000 1x EV。CDMA2000标准的威廉希尔官方网站
细节主要由3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)组织完成。 CDMA2000
2019-06-14 06:26:59
到底有多小想要了解纳米，我们来看看芯易网对它的定义：纳米（nm）又称毫微米，1纳米=10-9米（度娘说），到底有多小呢？以我们的指甲厚度为例，一般的指甲厚度为0.1毫米，也就是将指甲横向切成10份
2016-12-16 18:20:11
到底有多小想要了解纳米，我们来看看芯易网对它的定义：纳米（nm）又称毫微米，1纳米=10-9米（度娘说），到底有多小呢？以我们的指甲厚度为例，一般的指甲厚度为0.1毫米，也就是将指甲横向切成10份
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授发现碳纳米管以来，纳米威廉希尔官方网站
吸引了大量科学家的兴趣和研究，是目前科学界的研究热点。基于碳纳米管独特的电学特性，提出了利用碳纳米管阵列构筑新型天线和传输线的设想
2019-05-28 07:58:57
碳纳米纤维是指具有纳米尺度的碳纤维，依其结构特性可分为纳米碳管即空心碳纳米纤维和实心碳纳米纤维。
2019-09-20 09:02:43
选择1X档时，信号是没经衰减进入示波器的。而选择10X档时，信号是经过衰减到1/10再到示波器的。当选择10X档时，应该将示波器上的读数也扩大10倍，这就需要在示波器端可选择X10档，以配合探头
2019-05-20 14:43:22
针对目前解决台式机PCI-E 1X插槽不够用的瓶颈现状，拥有十几年研发和生产经验的老品牌厂家乐扩发布了一款可以将主机PCI-E1X插槽转换为2个PCI-E 1X插槽的扩展卡，有效解决了需要
2017-10-19 16:25:49
C6748 上电时默认L1DRAM全部为cache，1、那么如果我在程序中没有对 L1DRAM进行操作或配置，程序运行时L1DRAM中的数据是否会有变化？2、L1DRAM作为 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
14纳米的ARM 处理器和14纳米的X86移动处理器那个更省电？
2020-07-14 08:03:23
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 10:44 编辑
专家好！ 配置两路1x模式的SRIO，采用DIO方式独立完成收发，我现在想实现最简单的收发功能，不采用doorbell方式产生中断，由外部GPIO提供收发中断。具体配置过程需要哪些步骤呢？
2018-06-19 00:53:06
龙芯1x嵌入式开发工具收藏一下：龙芯1x嵌入式开发工具|Loongson 1x Embedded Develo…|关于我们|龙芯嵌入式开发工具|苏州天晟软件龙芯嵌入式开发工具|苏州天晟软件,龙芯1x
2021-12-24 06:25:47
如何从CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演进
CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)两大部分组成，CDMA2000 1X 的版本包括Rel.0，Rel.A，Rel.B
2009-06-13 22:30:53638 三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程
2009-11-18 09:20:55466 尔必达40纳米制程正式对战美光
一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝
2010-01-08 12:28:52554 4大DRAM阵营竞争激烈 美光、尔必达提前导入40纳米
DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳
2010-01-22 09:56:02836 三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。
2010-02-03 10:06:26701 一、引言 伴随着国内运营商的重组，CDMA 1X威廉希尔官方网站
重新受到国内业界的关注，本文主要介绍了CDMA 1X基站射频性能对CDMA 1X网络质量的影响以及CDMA 1X基站射频测试中的关键问题
2017-12-07 17:48:31833 
三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38834 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 传三星电子（Samsung Electronics）启动采用极紫外光（EUV）微影设备的DRAM生产研发，虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM，不过也有可能先推出17纳米制程产品。
2018-08-17 17:07:22709 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02253 今年以来DRAM价格持续下跌，DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利，南亚科将朝向优化产品组合方向调整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外，南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程威廉希尔官方网站
授权选择权，并启动自主研发的10纳米世代制程研发。
2019-03-01 16:30:254125 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技（Micron）正式宣布，将采用第3代10纳米级制程（1Znm）来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生
2019-08-19 15:45:223148 大多数读者应该知道Intel 的处理器、TSMC生产的SoC（System on Chip）等逻辑半导体的相关工艺，也明白到这些规则只不过对产品的命名罢了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味着什么？
2020-07-22 14:33:123769 
-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布 2022年12月21日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12纳米（nm）级工艺威廉希尔官方网站
打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与威廉希尔官方网站
负责人
2022-12-21 21:19:54756 
化挑战都是重大的。特别是，ASML 报告说，当中心到中心（center-to-center）值达到 40 nm 时，即使对于 EUV ，也不推荐使用单一图案化。在本文中，我们将展示对于 12 纳米及更高节点的 DRAM 节点，电容器中心到中心预计将低于 40 纳米，因此需要多重图案化。
2023-02-07 15:08:55381 近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24191 3 月 5 日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷威廉希尔官方网站
，从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲，介绍在将纳米印刷威廉希尔官方网站
应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:3562
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