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电子发烧友网>制造/封装>半导体威廉希尔官方网站 >半导体新闻>联发科Q4首推LTE方案 20nm产品有望明年问世

联发科Q4首推LTE方案 20nm产品有望明年问世

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jf_87063710发布于 2024-01-08 10:23:48

安卓系统 —— 卓越V100物联网通用主板

物联网
jf_87063710发布于 2024-01-09 09:36:21

MT6877(天玑 900)平台 —— XY6877 5G AI 智能模块

模块
jf_87063710发布于 2024-01-12 09:37:42

天玑1200双5G

芯片
jf_87063710发布于 2024-03-21 10:28:02

使用Xilinx 20nm工艺的UltraScale FPGA来降低功耗的19种途径

在绝大部分使用电池供电和插座供电的系统中,功耗成为需要考虑的第一设计要素。Xilinx决定使用20nm工艺的UltraScale器件来直面功耗设计的挑战,本文描述了在未来的系统设计中,使用Xilinx 20nm工艺的UltraScale FPGA来降低功耗的19种途径。
2018-07-14 07:21:005058

20nm威廉希尔官方网站 的发展应景

  20nm会延续摩尔定律在集成上发展趋势,但是要付出成本代价。2.5D封装威廉希尔官方网站 的发展,进一步提高了集成度,但是也增大了成本,部分解决了DRAM总线电源和带宽问题,在一个封装中集成了种类更多的IC。随着系统性能的提高,这一节点也增加了体系结构的复杂度。目前为止,它也是功耗管理最复杂的节点。
2017-09-15 09:54:3010

赛灵思业界20nm威廉希尔官方网站 首次投片标志着UltraScale架构时代来临

在28nm威廉希尔官方网站 突破的基础上,赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外,该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale威廉希尔官方网站
2018-01-12 05:49:45706

南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市场

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科威廉希尔官方网站 能力大跃进,完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通过个人电脑(PC)客户认证,本月开始出货,为南亚科转攻利基型DRAM多年后,再度重返个人电脑市场,明年农历年后将再切入服务器市场,南亚科借此成为韩系和美系大厂之后,另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:212734

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8个电源开启顺序的确定

ADI Guneet Chadha探讨电源系统管理(PSM)如何确定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8个电源的时序或按照预定顺序开启各电源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件

赛灵思UltraScale架构:行业第一个ASIC级可编程架构,可从20nm平面晶体管结构 (planar)工艺向16nm乃至FinFET晶体管威廉希尔官方网站 扩展,从单芯片(monolithic)到3D IC扩展。
2019-12-18 15:30:23801

基于20nm工艺制程的FPGA—UltraScale介绍

UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA,而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

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