作为业界少数几家加入FinFET俱乐部的公司,中芯国际已经开始使用其14 nm FinFET制造威廉希尔官方网站
批量生产芯片。该公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺。有点遗憾的是,中芯国际的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 就在Intel稍早以公开信件说明近期处理器产能受限,并且针对市场供货短缺情况致歉,市场传出三星将协助Intel生产处理器产品,借此缓解Intel在14nm制程处理器产能需求。 根据韩联社引述消息来源
2019-11-29 09:36:413979 成功批量生产14nm FinFET。因此,这也使中芯国际工厂成为中国最先进的集成生产基地。 另一方面,台积电是一家成熟的行业供应商,其大部分业务集中在南京工厂,该工厂于2018年底投入运营。它投资30亿美元,使其能够生产20,000个12英寸晶圆厂每月。简单来说
2020-01-14 11:21:195461 三星14nm同样引入了FinFET晶体管威廉希尔官方网站
,而且又类似GlobalFoundries、联电,三星也使用了14+20nm混合工艺,大致来说就是晶体管是14nm的,其它各部分则都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 阿尔特拉之所以选择英特尔作为14nm工艺代工企业,是因为英特尔在立体晶体管(FinFET)威廉希尔官方网站
方面的量产业绩获得好评。20nm工艺之前阿尔特拉一直将台积电作为主要的代工企业,而14nm工艺的生产将只委托给英特尔
2013-03-05 08:51:201363 16nm/14nm FinFET威廉希尔官方网站
将是一个Niche威廉希尔官方网站
,或者成为IC设计的主流?历史证明,每当创新出现,人们就会勾勒如何加以利用以实现新的、而且往往是意想不到的价值。FinFET威廉希尔官方网站
将开启电脑、通信和所有类型消费电子产品的大跃进时代。
2013-03-28 09:26:472161 而在22nm制程之后,能够使晶体管密度进一步增加的14nm制程也将会很快应用于芯片制造,这将继续提升Bay Trail处理器的性能和功耗优势。
2013-10-18 11:00:151530 由于FPGA两大领导业者Xilinx与Altera不断在先进制程领域中激烈竞争,也使得Xilinx已经前进到16nm FinFET,委由台积电进行代工,而Altera则是破天荒找上英特尔,以14nm三闸极电晶体进行生产。但在当时,市场仅仅了解的是产品制程,但对于产品本身的架构却是一无所知。
2013-10-31 09:43:093058 英特尔正式发布了全新14nm芯片威廉希尔官方网站
,并将其命名为Broadwell。
2014-08-16 21:12:333826 当今,英特尔在FinFET制程上仍属于佼佼者,其他半导体厂商正尝试开发3D FinFET与英特尔抗衡。IBM同样在FinFET制程上表现突出,这也是英特尔的主要竞争对手。
2014-10-22 10:17:591615 后来进入10nm级,Intel在制程工艺层面一骑绝尘,领先三星和台积电一代以上。不过,Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上,毕竟作为芯片一哥,需求量惊人,另外就是为FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 半导体市况好热闹,就在台积电透露5nm将在2019年试产之际,联电23日也宣布,自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程威廉希尔官方网站
,已成功进入客户芯片量产阶段,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
2017-02-24 07:56:012534 ,台积电透露5nm将在2019年试产之际,联电2月23日也宣布,自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程威廉希尔官方网站
,已成功进入客户芯片量产阶段,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
2017-02-24 08:25:501308 使用14nm。 其实,新的制程工艺是一把双刃剑!一般来说,在构架变化不大的情况下,升级制程工艺之后,处理器由于核心面积变得更小,会出现积热问题;另外由于晶体管密度过高,晶体管的栅长过短,会导致漏电率大大提升。这2个因素就决定了初代10nm产品无法上高频,只能
2020-07-28 16:27:2118704 中芯国际第1季收入预计为全年相对低点,比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已进入客户验证阶段,产品可靠度与良率进一步提升,同时12nm制程开发也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息从供应链获悉,中芯国际 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺,水准达约 90%-95%。目前,中芯国际各制程产能满载,部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 随着半导体产业威廉希尔官方网站
的不断发展,芯片制程工艺已从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升级到到现在比较主流的10nm、7nm,而最近据媒体报道,半导体的3nm工艺研发制作也启动
2019-12-10 14:38:41
14nm工艺的肖特基二极管和与非门导通延时是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增强;同时也极大地减少了漏电流的产生,这样就可以和以前一样继续进一步减小Gate宽度。目前三星和台积电在其14/16nm这一代工艺都开始采用FinFET威廉希尔官方网站
。图6:Intel(左:22nm)和Samsung(右:14nm)Fin鳍型结构注:图3、图6的图片来于网络。
2017-01-06 14:46:20
Finfet威廉希尔官方网站
(3D晶体管)详解
2012-08-19 10:46:17
晶体管管芯的工艺流程?光刻的工艺流程?pcb制版工艺流程?薄膜制备工艺流程?求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
如今随着芯片制程的不断提升,芯片中可以有100多亿个晶体管,如此之多的晶体管,究竟是如何安上去的呢? 这是一个Top-down View 的SEM照片,可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工艺、Silvermont新架构的智能手机、平板机处理器,而接下来的14nm路线图也已经曝光了。 根据规划,在平板机平台上,Intel将于2014年
2013-08-21 16:49:33
苹果晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版(FinFET Plus)将在明年1月全产能量产,搭配整合型扇出晶圆尺寸封装(InFO WLP)的系统级封装(SiP)威廉希尔官方网站
,在x86及ARM架构64位
2014-05-07 15:30:16
最高的晶体管密度。超微缩指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上提升2.7倍晶体管密度的威廉希尔官方网站
。在此次“英特尔精尖制造日”活动上,英特尔“Cannon Lake”10纳米晶圆全球首次公开亮相。马博还演示
2017-09-22 11:08:53
。这场战役两家大厂互有消长,首先是三星的14nm较台积电的16nm抢先半年投入量产,因两家大厂的鳍式晶体管(FinFET)设计也确有雷同之处,后续又衍生了竞业禁止官司诉讼等故事,无论如何,最终台积电还是
2018-06-14 14:25:19
的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么,为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限,碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢?面对美国的威廉希尔官方网站
突破,中国应该怎么做呢?XX nm制造工艺是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
。 计算鳍式场效应晶体管宽度 (W) 鳍式场效应晶体管的通道(鳍片)是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”,FinFET表现出一种称为宽度量化的特性:其宽度是其高度的倍数。随机
2023-02-24 15:25:29
从7nm到5nm,半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19:33
越来越先进,台积电的5nm制程成本也水涨船高,开发一款芯片的费用将达到5.4亿美元,台积电5nm全掩模流片费用大概要3亿人民币,而且还不包含IP授权费用。如此高的门槛,大部分公司都会选择观望。目前,也
2020-03-09 10:13:54
半导体发展至今,无论是从结构和加工威廉希尔官方网站
多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
式场效应晶体管工艺,该工艺可大幅电路控制并减少漏电流,还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到,3 月 10 日,据选股宝,从供应链获悉,中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺,水准达约
2021-07-19 15:09:42
芯片除了核心数超过高通之外,在CPU性能、GPU性能、拍照、网络等方面皆不如骁龙旗舰,而且制程工艺往往落后一代。因此,Helio X30原本规划使用TSMC的16nm FinFET工艺,但同期的竞品
2017-02-16 11:58:05
10月7日,沉寂已久的计算威廉希尔官方网站
界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算威廉希尔官方网站
进步的硬指标。晶体管
2016-10-08 09:25:15
以下小信号晶体管芯片可长期供应。S9012/S9013;S9014/S9015;5551/5401;2N4401/2N4403;D965/D882;BC817/BC807;S8050/8550
2020-04-26 08:47:07
的小珠子,使其最后形成一个10X5比例的长方形。从这个实验不难看出,要达成这个目标非常不容易,由此可以了解到,各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产
2016-06-29 14:49:15
的长方形。从这个实验不难看出,要达成这个目标非常不容易,由此可以了解到,各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产,并以此为资本争夺下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
nm SoC封装到一个20 nm管芯中,结果是减小了芯片间延时,降低了I/O功耗,以及电路板级成本,这说明单位晶体管成本的提高是有好处的。而不明显的是,规划人员通过使用晶体管来提高性能或者能效。一个
2014-09-01 17:26:49
10nm将会流片,而张忠谋更是信心十足,他直言不讳地表示10nm量产后将会抢下更高的份额。台积电联席CEO刘德音此前也曾在一次投资人会议上透露,公司计划首先让自己的10纳米芯片产线在今年底前全面展开
2016-01-25 09:38:11
大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
2019-09-27 06:59:21
TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
0 引言
TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管
2009-12-24 17:04:5610381 据参加了比利时微纳米电子威廉希尔官方网站
研究机构IMEC召开的威廉希尔官方网站
论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IB
2010-06-22 08:21:47848 近年来,芯片的发展进程始终严格遵守着“摩尔定律”,并有条不紊地进行着,直到14nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功,业界开始有了担忧。
2012-03-13 14:36:5127582 英特尔(Intel)日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示,总投资金额将超过十亿美元。 英特尔(Intel) CEO Paul Otellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先
2012-05-30 11:31:11989 本文通过高清图详解Intel最新22nm 3D 晶体管 。业界一直传说3D三栅级晶体管威廉希尔官方网站
将会用于下下代14nm的半导体制造,没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺,并且于上周四向全世界表示将在
2012-08-03 17:09:180 本文核心议题: 通过本文介绍,我们将对Intel 22nm 3D三栅极晶体管威廉希尔官方网站
有着详细的了解。业界一直传说3D三栅级晶体管威廉希尔官方网站
将会用于下下代14nm的半导体制造,没想到英特尔竟提前将之用
2012-08-15 10:45:277281 为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机,格罗方德将率先导入三维鳍式电晶体(3D FinFET)架构于14nm制程产品中,预计明年客户即可开始投片,后年则可望大量生产。
2012-10-09 12:02:37911 电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布,借助IBM FinFET晶体管威廉希尔官方网站
,已经成功流片了14nm工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。
2012-11-01 09:11:031480 联电14奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程威廉希尔官方网站
将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米FinFET制程威廉希尔官方网站
,预计效能可较现今28奈米制程提升35~40%,
2012-11-05 09:17:53776 虽然开发先进微缩制程的成本与威廉希尔官方网站
难度愈来愈高,但站在半导体制程前端的大厂们仍继续在这条道路上努力着。Cadence日前宣布,配备运用IBM的FinFET制程威廉希尔官方网站
而设计实现之ARM Cortex-M0处理
2012-11-17 10:29:36844 在2012年度的国际电子元件大会上,有专家指出,半导体制程在14nm的节点上会迎来大挑战,而不符合偶尔定律的要求。
2012-12-13 08:51:371034 GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺,三星电子今天也宣布,已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破,与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。
2012-12-24 09:28:241072 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产,今天三星官方正式确认了这个消息,并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241017 外电报导指出,英特尔和展讯合作的第二款14nm手机芯片将于第3季量产,与联发科、高通争抢中低端市场。
2017-05-04 01:07:111039 中芯国际联席CEO梁孟松透露,中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并藉此进入AI芯片领域。
2018-05-14 14:52:005009 替换高清大图 请点击此处输入图片描述 中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并借此进入...... 晶圆制造是目前芯片设计环节
2018-05-17 09:37:354975 劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算威廉希尔官方网站
进步的硬指标。晶体管越小,同样体积的芯片上就能集成更多,这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。
2018-06-22 15:44:044459 中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%的水准,距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:523383 根据中芯国际之前的爆料,其14nm工艺良率已达95%,进展符合预期,已经进入了客户导入阶段,正在进行验证及IP设计。另外,中芯国际联席CEO梁孟松宣布计划在2019年上半年风险试产14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 XX nm制造工艺是什么概念?芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管,这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成,电流从源极流入漏极,栅极则起到控制电流通断的作用。
2019-02-20 11:08:0231991 虽然从威廉希尔官方网站
水平上看,台积电和三星掌握了10nm 的高端制程量产威廉希尔官方网站
,格芯和联电等掌握了高端14nm的量产威廉希尔官方网站
,而中芯国际,28nm已实现量产,目前良率较低,威廉希尔官方网站
处于逐步成熟阶段,不过在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 英特尔已经使用了 N 年的 14nm 工艺制程了,而现在这家科技巨头似乎遇到了 10nm 的产能问题,于是 14nm++++ 成为未来两三年内英特尔的主力制程,这也是消费者所不想要看到的。然而事实便是这样,于是大家也就只能硬着头皮使用英特尔的 14nm 产品了。
2019-12-02 16:31:328187 据介绍,14nm FinFET工艺使得界面态密度(Nit)提升40%以上,闪烁噪声提高64%,数字逻辑功能芯片功耗降低34%。凭借14nm FinFET先进工艺优势,144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 在半导体制造领域,存在着明显的金字塔模型。市场上的主流制程工艺节点从22nm、16/14nm一直到目前最先进7nm,越往上玩家越少,即将到来的5nm更是只有台积电和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 我们要不要过分夸大中芯国际呢,14nm能够发挥7nm工艺的水平?如果说14nm高于12nm,笔者是相信的,毕竟当年的iphone 6s的两个处理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺,首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了,因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。
2020-03-11 09:51:095687 如果说在2019 年年中三星宣称将在2021年推出其“环绕式栅极(GAA)”威廉希尔官方网站
取代FinFET晶体管威廉希尔官方网站
,FinFET犹可淡定;而到如今,英特尔表示其5nm制程将放弃FinFET而转向GAA,就已有一个时代翻篇的迹象了。
2020-03-16 15:36:392616 我们经常看到报道上说芯片制程达到了14nm、7nm、5nm,最近中芯国际在没有ASML的EUV光刻机的情况下,实现了7nm的制程,有很多人对此感到很兴奋。
2020-04-19 11:40:0525180 台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管威廉希尔官方网站
,这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET威廉希尔官方网站
的瓶颈,甚至还非常有自信能够在相同的FinFET威廉希尔官方网站
下,在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩威廉希尔官方网站
远超过其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成
2021-01-25 15:25:402858 梁孟松在会议上表示:中芯国际的14nm在去年第四季度进入量产,良率已达业界量产水准。良率意对芯片至关重要,这意味着其14nm已经进入真正意义上的量产。总体来说,我们正在与国内和海外客户合作十多个先进工艺,流片项目,包含14nm及更先进工艺威廉希尔官方网站
。
2020-12-11 14:16:442648 向2nm及以下威廉希尔官方网站
节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上,他介绍了Nanosheet晶体管,Forksheet器件和CFET。其中一部分内容已在2019 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表。 FinFET:今天最先进的晶体管 在每一代新威廉希尔官方网站
上,芯片制造商都能够将晶体管规格微缩0.7倍,从而实现15%
2020-12-30 17:45:162676 要说谁是CPU领域的常青树,那就非14nm莫属了,自从2014年推出首款14nm的产品之后,英特尔的这代工艺已经使用了7年之久,要知道在日新月异的半导体领域,制程水平能够保持7年之久实在是一件极其
2021-01-15 10:58:288387 得益于从平面型晶体管到鳍式场效应管(FinFET)的过渡,过去 10 年的芯片性能提升还算勉强。然而随着制程工艺不断抵近物理极限,芯片行业早已不再高声谈论摩尔定律。尽管业界对环绕栅极晶体管(GAAFET)在 3nm 及更先进制程上的应用前景很是看好,但这种转变的代价也必然十分高昂。
2021-01-27 14:56:431941 从 14nm 制程工艺产品良率来说,中芯国际生产水平已经快等同于台积电,制程工艺产品良率可达90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 良品率追平台积电,中芯国际14nm制程已经达到芯片行业高等水准,与此同时,成熟工艺订单排至2022年,台积电拥有良好的制作工艺和满足需求的产能。这两大方面,都是值得我们高兴的事情。最后期待,中芯国际的制程工艺能够被更多国内厂商使用。
2021-03-17 17:11:069320 晶体管是器件中提供开关功能的关键组件。几十年来,基于平面晶体管的芯片一直畅销不衰。走到20nm时,平面晶体管开始出现疲态。为此,英特尔在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圆厂在16nm/14nm予以跟进。
2021-03-22 11:35:242075 近日,《乌合麒麟撤回道歉,称3D堆叠就是芯片优化威廉希尔官方网站
》事件在网上引起争论,今天ASPENCORE记者欧阳洋葱同学进一步对“ 14nm + 14nm 达成‘比肩’7nm 性能的问题”展开了专业的分析
2021-07-02 16:39:345583 P沟道增强型燃料效应晶体管芯片CEM4435
2021-07-12 10:26:219 而在全民热议“清朗行动”之时,同茂线性马达却在微博热搜榜的底端发现了这样一条令人振奋的消息“国内已设计出14nm香山芯片”。
2021-09-18 09:23:271309 不久前,有消息称国产14nm芯片将于明年量产,这一消息也代表着国产芯片迎来了黄金发展期。
2022-01-03 16:28:008959 已经进入了试产阶段,并且也从华为那边收取到了麒麟710A的订单,中芯国际表示过其12nm制程能够实现晶体管尺寸的缩减,相较于14nm制程,中芯国际的12nm制程将减少20%功耗和增加10%性能。 而相较于7nm芯片,12nm芯片在各方面就已经就难以追赶了,以麒麟980和麒
2022-06-27 11:19:344561 台积电即将推出下一代先进工艺制程2nm芯片,台积电2nm芯片弃用FinFET鳍式场效应晶体管威廉希尔官方网站
,首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管威廉希尔官方网站
,将于2025年开始量产。
2022-06-27 18:03:471295 IBM的2nm制程芯片采用的是什么威廉希尔官方网站
?IBM 2nm制程芯片采用GAA环绕栅极晶体管威廉希尔官方网站
,晶体管密度可达5nm两倍,每平方毫米容纳3.3亿个晶体管,2nm芯片将计算速度要提高45%,能源效率更是提高75%,电池续航时间提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885 有多大呢?是2nm吗? 其实芯片前面的数字代表的是这款芯片所采用的制程工艺,2nm即为2nm制程工艺,而制程工艺又特指芯片内部晶体管的栅极最小长度,栅极是晶体管内用于控制电流的结构,因此2nm即代表着芯片内部晶体管最小栅极长度为2nm,并不是代表整
2022-07-04 09:15:363936 到2007年,当时Intel公司在旧金山举办了一场演讲,在那场演讲中,Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片,他表示该芯片中集成了超过19亿个晶体管,Intel将会在2009年正式量产32nm制程工艺的芯片。 2010年Intel推出了Corei7≤980X,这款芯片采用了32nm制程工艺
2022-07-04 09:47:463046 在芯片设计和制造中,纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离,在体积相同大小的情况下,7nm工艺的芯片容纳的晶体管的数量,几乎是14nm工艺芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是,随着3nm和5nm威廉希尔官方网站
节点面临的难题不断累积,FinFET的效用已经趋于极限。
2022-08-01 15:33:11952 2019年第四季度,中芯国际就表示14nm已投入量产。2021年时传出消息,中芯国际14nm的良率达到95%,已经追平台积电。(目前7nm也已小规模投产)
2022-11-17 15:22:38104629 继2022年6月30日,三星电子官宣开始量产基于GAA晶体管结构的3nm芯片后,台积电也在2022年末在台南科学园区高调举办了3nm量产扩厂典礼,也就是说目前先进制程的两大玩家都已经达成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53560 设计EDA工具团队联合国内EDA企业,共同打造了14nm以上工艺所需EDA工具,基本实现了14nm以上EDA工具国产化,预计2023年将完成对其全面验证。 此外,华为的MetaERP将会完全用自己的操作系统、数据库、编译器和语言,做出自己的管理系统MetaERP软件。 美国芯片法案限制
2023-03-27 16:27:184778 台积电的16nm有多个版本,包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus威廉希尔官方网站
(16FF +)和16nm FinFET Compact威廉希尔官方网站
(16FFC)。
2023-04-14 10:58:15636 的基础上,实现了国内14nm 晶圆芯片零的突破,并在梁孟松等专家的带领下,向着更加先进的芯片制程发起冲锋。 然而,最近在中芯国际的公司官网上,有关于14nm芯片制程的工艺介绍,已经全部下架,这让很多人心存疑惑,作为自家最为先进的
2023-06-06 15:34:2117915 的FinFET结构,我们比较容易理解晶体管尺寸缩小的原理。如下图所示:那么从20nm开始到3nm,晶体管的结构都是FinFET的。结构没有变化的条件下,晶体管尺寸
2023-12-19 16:29:01240
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