，并签订战略合作协议，合作内容包含了基于某些客户的需求，进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块，及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 Introduction 碳化硅功率半导体近年来在能源转换
2020-11-24 11:51:47
1754 
前进。碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现，而现有的传统
2022-11-12 10:01:261315 也日益增长。针对上述挑战，文章对国内外现有的典型功率模块封装结构进行了详细 介绍和分类对比；枚举比较了不同功率模块散热方式及其威廉希尔官方网站
特点，如热扩散装置、对流换热和相变散热 等；最后，结合以往的碳化硅功率模块热封装研究，对下一代碳化硅模块封装与热管理威廉希尔官方网站
面临的挑战和未 来的发展趋势进行了展
2023-11-08 09:46:441117 电气设计专家和SiC功率模块设计专家。 这也意味着理想正在筹备自研碳化硅功率模块，未来或可能建立功率模块封测产线。 电动汽车时代，功率模块和碳化硅地位越来越高 电动汽车与燃油汽车的成本结构产生了很大差异，在电动汽车中，电池
2023-12-04 06:47:00822 碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
要求。测试新品器件是否合规比较容易，但判断器件的物理特征是否会随时间和环境而变化比较麻烦。本文将从碳化硅芯片研发和封装方面探讨可靠性问题。 芯片研发环节的可靠性测试 衡量可靠性可以从器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性威廉希尔官方网站
必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐威廉希尔官方网站
碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
关注该新蓝海市场。由于汽车的使用是在高速行驶的恶劣环境下进行，使得碳化硅封装基板在耐温、抗电磁波、抗震与耐腐蚀等要求上更胜于传统封装基板,因此确保汽车零件的质量并保障驾驶及乘客的生命安全是所有车厂最重
2020-12-16 11:31:13
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69.5%，这使
2018-11-15 11:59:01
:TGF2954产品名称：碳化硅晶体管TGF2954产品特性频率范围：直流- 12 GHz44.5dBm nominal Psat at 3GHz71.6%在3 GHz的PAE19.6db标称功率增益在3
2018-11-15 14:01:58
:TGF2955产品名称：碳化硅晶体管TGF2955产品特性频率范围：直流- 12 GHz46.4dbm名义PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db标称功率增益在3 GHz拜厄斯：VD = 32V
2018-11-15 14:06:57
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动威廉希尔官方网站
研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
效率方面，相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压，碳化硅即便是在高电压条件下，一样可以支持单极操作，因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现，也显著优于硅组件。目前大功率电力设备
2021-09-23 15:02:11
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
场效应管（Si MOSFET）以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通电源，和服务器电源，和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs，要求短路保护在3
2023-02-27 16:03:36
，LeapersSemiconductor使用其专利的电弧键合™威廉希尔官方网站
（图2）。 与许多汽车级功率半导体制造商使用的传统铝引线键合威廉希尔官方网站
不同，电弧键合™专利芯片表面连接威廉希尔官方网站
可确保满足汽车应用要求的SiC模块的可靠性，同时显着降低寄生电阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀威廉希尔官方网站
去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
7月29日，基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行，搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程。
2021-07-30 15:55:331835 
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺威廉希尔官方网站
，打造
2021-12-31 10:55:432796 
Agarwal 的播客中，我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章： 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品：TDK-Lambda CUS350MP-1000医疗和工业电源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模块。
2022-08-04 09:51:111458 针对要求最严苛的功率开关应用的功率分立元件和模块的封装趋势，从而引入改进的半导体器件。即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙类型，将显着提高功率开关应用的性能，尤其是汽车牵引逆变器
2022-11-16 10:57:40539 
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 汽车碳化硅威廉希尔官方网站
原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅威廉希尔官方网站
壁垒分析：碳化硅威廉希尔官方网站
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壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅威廉希尔官方网站
壁垒分析下碳化硅威廉希尔官方网站
壁垒是什么？碳化硅威廉希尔官方网站
壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上，浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:45
2 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装，常见的有有TO-263和TO-252封装，随着近些年电源对于功率密度要求不断提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件，由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件，采用现代半导体威廉希尔官方网站
制造而成，可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关，适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:222180 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 速度等，受到了广泛关注。然而，要发挥碳化硅功率器件的优势，必须解决封装威廉希尔官方网站
中的关键问题。本文将重点探讨碳化硅功率器件封装的关键威廉希尔官方网站
。
2023-04-14 14:55:27555 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 
当前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势，碳化硅材料七成以上来自美国公司，欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装威廉希尔官方网站
同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键威廉希尔官方网站
。
2023-08-15 09:52:11701 
随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:451806 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 随着电力电子威廉希尔官方网站
的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46241 随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、威廉希尔官方网站
挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20360 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势，主要体现在以下几个方面：材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 随着科技的不断进步，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）器件封装与模块化是实现碳化硅器件性能和可靠性提升的关键步骤。
2024-01-09 10:18:27114 
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩散。因此，在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14294 
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而，如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装威廉希尔官方网站
带来了新的挑战。传统封装威廉希尔官方网站
在应对
2024-01-26 16:21:39218 
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