采用其28纳米工艺制程的 Qualcomm®骁龙™410处理器已成功应用于主流智能手机,这是28纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。
2015-08-11 07:54:462718 旋转圆盘与旋转轮类似,不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘,而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。
2023-06-06 10:43:441185 阱区注入的工艺说明如下图所示,是高能量离子注入过程,因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内,而P型晶体管形成于N型阱区。
2023-06-09 11:31:083889 统的硅功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来说,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓为等向性,且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵,但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深,虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。
2023-12-22 09:41:21703 手机上实现了5G信令及数据调试。”一家排名国内前四的国产手机市场负责人如是说。手机厂商目前是5G商用布局中最为激进的阵营。8月28日,OPPO利用了一部改用了高通骁龙X505G调制解调器的R15手机
2018-09-18 18:51:04
认识中国电子论坛好些日子了,开始理解不深,通过最近几天查找资料,发现就中国电子论坛的最多,最好。{:22:}
2015-04-04 17:50:59
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58:59
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面,当离子进入表面,将与固体中的原子碰撞,将其挤进内部,并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰撞,后者再继续下去,大约在10-11s内,材料中将建立一个有数百个间隙原子和空位的区域。
2019-10-30 09:10:53
研发实力得到进一步夯实,正伺机而动等待崛起之机。GF退出后,高端芯片将出现一定的市场缺口,这将成为中国芯争抢市场份额的好时机。日前,7纳米的中国芯制造捷报频频。***才宣布 14 纳米FinFET
2018-09-05 14:38:53
“英特尔精尖制造日”活动今天举行,展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包括:英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节,英特尔首款10纳米FPGA的计划,并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D
2017-09-22 11:08:53
3.5万片。***资金的注入将减轻中芯国际因先进制程产能扩充带来的投资压力。台积电本周宣布断供华为,引发外界对...
2021-07-23 08:40:02
什么是纳米?为什么制程更小更节能?为何制程工艺的飞跃几乎都是每2年一次?
2021-02-01 07:54:00
材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等。离子注入机由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位
2018-09-03 09:31:49
的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备等。以上是今日Enroo关于晶圆制造工艺及半导体设备的相关分享。
2018-10-15 15:11:22
一半,而性能提高两倍。通过选择一个高性能低功耗的工艺威廉希尔官方网站
,一个覆盖所有产品系列的、统一的、可扩展的架构,以及创新的工具,赛灵思将最大限度地发挥 28 纳米威廉希尔官方网站
的价值, 为客户提供具备 ASIC 级功能
2019-08-09 07:27:00
的工艺流程的示意图。我们可以从图中看到,在凸起的表面会生成保护层5,并通过保护层5对未被凸起部覆盖的JFET层进行离子注入,进而能得到体区域6。 源极区域的P+区域9与N+区域8相邻,在注入N型离子时,可以
2020-07-07 11:42:42
如题,寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的7纳米工艺要到今年底才能量产,英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。这样看来,中国的IC制程威廉希尔官方网站
比世界最先进水平落后两代以上,时间上
2018-06-13 14:40:57
式的SC9830也有望于年底上市。联芯科技也推出了4GLTE芯片LC1860,采用28nm工艺,完整覆盖TD-LTE、LTEFDD、TD-SCDMA、WCDMA和GGE等五种模式和13个频段。中国不仅是全球最大
2015-01-13 15:48:21
`超经典复旦大学微电子工艺教案包含:离子注入、晶体生长、实验室净化与硅片清洗、 光刻、氧化、工艺集成、未来趋势与挑战等。错过便不再拥有研究生毕业继续送资料——超经典复旦大学微电子工艺教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。2.工作原理聚焦离子束(ed Ion
2020-02-05 15:13:29
生产。如果台积电真的能够完全按照这一时间展开工作的话,那么就将使该公司彻底走在了芯片制造领域的最前端。 目前,业内设备制造厂商大多刚刚开始拥抱14纳米芯片工艺,苹果最新的iPhone 6s系列就是
2016-01-25 09:38:11
请问各位大侠,离子注入时有遇到做V-CURVE时,出现倒着的抛物线吗?急,在线等,谢谢!
2018-08-05 19:29:33
【作者】:秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】:《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】:鉴于利用离子注入威廉希尔官方网站
掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离
2009-02-28 09:38:2925 M5525100-1/UM型大角度离子注入机:M5525100-1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米,8 英寸集成电路制造工艺的要求,适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入,可获得良好
2009-12-19 12:57:0212 高通携手TSMC,继续28纳米工艺上合作
高通公司(Qualcomm Incorporated)与其专业集成电路制造服务伙伴-TSMC前不久日共同宣布,双方正在28纳米工艺威廉希尔官方网站
进行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 台积电与联电大客户赛灵思合作28纳米产品
外电引用分析师资讯指出,联电大客户赛灵思(Xilinx)3月可能宣布与台积电展开28纳米制程合作;台积电28纳米已确定取得富
2010-01-19 15:59:551058 赛灵思宣布采用 28 纳米工艺加速平台开发
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布,为推进可编程势在必行之必然趋势,正对系统工
2010-02-23 11:16:21382 近期,高通公司宣布将推出首款基于28纳米工艺的Snapdragon芯片组MSM8960并宣布此芯片组将于2011财年开始出样。基于28纳米工艺的该芯片组采用新的CPU内核为特征,主要针对高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷码(Magma®)设计自动化有限公司日前宣布,一款经过验证的支持Common Platform™联盟32/28纳米低功耗工艺威廉希尔官方网站
的层次化RTL-to-GDSII参考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 离子注入威廉希尔官方网站
又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新威廉希尔官方网站
。
2011-05-22 12:13:574275 本文详细介绍离子注入威廉希尔官方网站
的特点及性能,以及离子注入威廉希尔官方网站
的英文全称。
2011-05-22 12:13:294861 简述了离子注入威廉希尔官方网站
的发展趋势及典型应用,并简要分析了该领域的威廉希尔官方网站
发展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 详细介绍离子注入威廉希尔官方网站
的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24:1618742 离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27:084337 离子注入设备和方法:最简单的离子注入机(图2)应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的威廉希尔官方网站
,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子(Dopant)以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终
2011-05-22 12:34:0083 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体,以改变半导体,尤其是表面层的电学性质. 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到硅中(称为 靶 )而实现掺杂。 离子束是一种带电原子或带
2011-05-22 12:40:530 系统介绍了金属表面改性用离子注入的机理和特点。剖析了温度、注入剂量、离子种类等影响因子对改性层效果的影响,综述了该威廉希尔官方网站
在提高强度和硬度、改善磨损性能、降低摩擦系数
2011-05-22 12:42:2368 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到硅中(称为 靶 )而实现掺杂。 离子束的性质 离子束是一种
2011-05-22 12:43:520 离子注入的特点是加工温度低,易做浅结,大面积注入杂质仍能保证均匀,掺杂种类广泛,并且易于自动化。由于采用了离子注入威廉希尔官方网站
,大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 电子发烧友网 1. 什么是离子注入? 离子注入(Ion Implant)是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中,以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00:000 离子束注入威廉希尔官方网站
概述 基本原理:离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并最终停留在固体材料中,这一现象就叫做离子注入。 用能量为100keV量级的离子
2011-05-22 13:00:550 离子注入生物诱变是不同于传统辐射生物学的人工诱变新方法。在离子注入生物诱变实验中, 真空室真空度及其稳定性影响着生物样品的存活状态; 注入剂量决定着生物样品的辐射损伤程
2011-05-22 13:02:410 F根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了Mo离子注入量及润滑条件对齿轮钢I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因数和磨损量的影响I结果表明FMo离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大
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就是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方
2011-05-22 16:40:46
日前,联华电子与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺威廉希尔官方网站
,该工艺将SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶体管威廉希尔官方网站
集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate高效能移动工艺。
2013-07-25 10:10:521049 中芯国际是全球芯片代工行业中的四大厂商之一。然而,目前,中芯国际投入量产的最先进的制程工艺是28纳米PolySiON工艺。并且,中芯国际仍需对高端的28纳米HKMG工艺继续深入探究。 中芯国际是全球
2017-04-26 10:05:11712 本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27:083 近日,中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备威廉希尔官方网站
调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件,下个月产线将正式启动试流片。
2018-01-15 09:50:096732 晶圆代工大厂格芯在28日宣布,无限期停止7纳米制程的投资与研发,转而专注现有14/12纳米FinFET制程,及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 近日有消息显示,万业企业(600641.SH)全资子公司凯世通的低能大束流集成电路离子注入机已搬进杭州湾洁净室,目前正在根据集成电路芯片客户工艺要求,进行离子注入晶圆验证。
2019-12-31 10:04:085297 近日,从电科装备旗下烁科中科信公司传来喜讯,公司研发的12英寸中束流离子注入机顺利发往某集成电路大产线,这台由客户直接采购的设备如期交付,标志着公司国产离子注入机市场化进程再上新台阶。
2020-06-23 10:20:284019 据业内人士透露,中国知名电子企业中国电子科技集团有限公司近日取得重大威廉希尔官方网站
突破,其自主研发的高能离子注入机已成功实现百万电子伏特高能离子加速,其性能达国际主流先进水平。
2020-06-28 11:36:023688 创始人陈炯博士毕业于美国哥伦比亚大学应用物理博士学位,曾是全球知名离子注入机企业AIBT的创始人之一,带领美国团队成功开发了两代大束流离子注入机,打入先进28nm关键制程集成电路制造厂商。
2020-09-28 13:53:341843 离子注入机是高压小型加速器中的一种,是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还能用于太阳能电池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 介绍工艺之前,我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备。日本日新是全球3大离子注入设备商之一。 1973年的时候,该公司就开始做离子注入的工艺设备。 目前的主要业务设备如上表。详细的可以
2020-11-20 10:03:276458 离子注入作为半导体常用的掺杂手段,具有热扩散掺杂威廉希尔官方网站
无法比拟的优势。列表对比 掺杂原子被动打进到基板的晶体内部,但是它是被硬塞进去的,不是一个热平衡下的过程,杂质一般也不出在晶格点阵上,且离子轨迹
2020-11-20 10:10:305208 目前,离子注入机行业主要由美国厂商垄断,应用材料(Applied Materials)、亚舍立(Axcelis)合计占据全球 85%-90%的市场,存在较高竞争壁垒,也是解决芯片国产化设备卡脖子的关键环节。
2020-12-04 10:21:293635 很多人都知道,离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,而中国电子科技集团有限公司旗下装备子集团就是在离子注入机方面取得了重大突破,其成功实现了离子注入机全谱系产品国产化,包括中束流、大束流、特种应用及第三代半导体等离子注入机,工艺段覆盖至28nm,累计形成了413项核心发明专利。
2021-04-17 08:14:194126 晶圆代工龙头台积电22日决定将斥资约800亿元新台币,把在南京厂建置28纳米制程,目标在2023年中前达到4万片月产能。外界也关心,台积电正式启动成熟制程扩产计划,为何会选择28纳米制程,究竟公司
2021-04-26 10:56:072389 本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物,该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力,而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081442 非常繁琐,从原材料开始,要经过很多道复杂的工序才能得到最终可使用的芯片。大致流程如下。 1.加法工艺 1.1掺杂(扩散、离子注入) 对应设备:扩散炉、离子注入机、退火炉 1.2薄膜(氧化、化学气相淀积、溅射、外延) 对应设备:
2022-09-29 10:04:081169 与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比,离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06:015608 通常,用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体,而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6,用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品,由于离子注入机需要“点”式扫描注入,即使在最高的离子束流下,工艺实施时间仍然较长,产出效率低。
2022-11-01 10:14:003046 通常,退火工艺是与其他工艺(如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等)结合在一起的,最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子,使其脱离原本的晶格结构,而对衬底晶格造成损伤。
2022-11-02 10:03:5215055 加热扩散的物理原理众所皆知,工艺工具相当简单且不昂贵,然而扩散过程有一些主要的限制。
2023-05-04 09:25:52503 离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制(见下表)。例如,掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制,因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深,掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19:331545 离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质,以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程,不发生化学反应。
2023-05-12 16:00:084597 高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构,并在晶圆表面附近产生非晶态层。
2023-05-19 09:22:131960 高压直流电源用于加速离子,大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子,需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统,然而一个射频离子源需要大约
2023-05-26 14:44:171357 集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类,包括光刻(光刻机)、刻蚀(刻蚀机)、薄膜生长(PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备)、扩散(扩散炉)、离子注入(离子注入机)、平坦化(CMP设备)、金属化(ECD设备)、湿法工艺(湿法工艺设备)等。
2023-05-30 10:47:121132 当质谱仪选择了所需的离子后,离子将进入后段加速区域,射束电流与最后的离子能量被控制在该区内,离子束电流利用可调整的叶片控制,而离子能量则由后段加速电极的电位控制。
2023-06-04 16:38:261185 在DRAM生产中,离子注入威廉希尔官方网站
被应用于减少多晶硅和硅衬底之间的接触电阻,这种工艺是利用高流量的P型离子将接触孔的硅或多晶硅进行重掺杂。
2023-06-19 09:59:27317 6.1.4半绝缘区域的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.1选择性掺杂威廉希尔官方网站
∈《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅威廉希尔官方网站
基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466 对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备,大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面,这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412 来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 6月29日,据中国电子科技集团有限公司(以下简称“中国电科”)官方消息,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651 掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定,掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具,可以测量
2023-07-07 09:51:172240 CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺,其中根据工艺
2023-07-18 11:48:183035 在常规离子注入中,三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 在晶硅太阳能电池的生产过程中,离子注入是一项非常重要的工艺,它可以大幅度提高光电转换率,实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业,拥有的美能傅里叶红外光
2023-08-29 08:35:56376 本文从离子注入工艺的温度控制出发,研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响,并结合器件的I-V曲线,探究了碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367 想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 受美国对高端设备出口限制影响,中国大陆转向成熟制程(28纳米及以上)领域,预计2027年在此类制程上产能达到39%。
2023-12-15 14:56:35337 离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟,以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 据业内人士透露,凯世通长期专注于该行业,产品已应用于逻辑、存储、功率等多个应用领域。他们所生产的低能大束流离子注入机和高能离子注入机已经实现了产业化突破,无论是工艺覆盖面,还是良品率,甚至产能,都处于业界领先位置
2023-12-25 10:40:31398 半导体改变电阻率的方式有三种,原位掺杂、扩散和离子注入,这三种方式分别过程如何,有何区别呢?
2024-01-05 18:21:111111 隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42419 对器件设计工程师来讲,离子注入的浓度往往是需要关心的参数,什么样的浓度对应什么样的方阻,器件仿真参数输入的是浓度,通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581 在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中,离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181
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