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电子发烧友网>制造/封装>中国电科宣布已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

中国电科宣布已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

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半导体工艺装备现状及发展趋势

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6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.1选择性掺杂威廉希尔官方网站 ∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565

6.1.6 离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466

如何降低污染粒子在每一道离子注入过程中的增加量?

对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备,大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面,这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605

电科装备实现国产离子注入机28纳米工艺制程覆盖

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412

中国电实现国产离子注入机28纳米工艺覆盖!【附41份报告】

来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 6月29日,据中国电子科技集团有限公司(以下简称“中国电科”)官方消息,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651

半导体离子注入工艺评估

掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定,掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具,可以测量
2023-07-07 09:51:172240

cmp是什么意思 cmp工艺原理

CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺,其中根据工艺
2023-07-18 11:48:183035

离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍

在常规离子注入中,三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399

离子注入威廉希尔官方网站 在晶硅太阳能电池中的应用优势

在晶硅太阳能电池的生产过程中,离子注入是一项非常重要的工艺,它可以大幅度提高光电转换率,实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业,拥有的美能傅里叶红外光
2023-08-29 08:35:56376

探讨碲镉汞红外探测器工艺注入温度的影响

本文从离子注入工艺的温度控制出发,研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响,并结合器件的I-V曲线,探究了碲镉汞红外探测器工艺注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367

什么是离子注入离子注入相对于扩散的优点?

想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764

中国半导体厂商集体发力28nm及更成熟制程

受美国对高端设备出口限制影响,中国大陆转向成熟制程28纳米及以上)领域,预计2027年在此类制程上产能达到39%。
2023-12-15 14:56:35337

离子注入仿真用什么模型

离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子注入过程进行建模和模拟,以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256

万业企业助推凯世通获得批量采购订单

据业内人士透露,凯世通长期专注于该行业,产品已应用于逻辑、存储、功率等多个应用领域。他们所生产的低能大束流离子注入机和高能离子注入机已经实现了产业化突破,无论是工艺覆盖面,还是良品率,甚至产能,都处于业界领先位置
2023-12-25 10:40:31398

原位掺杂、扩散和离子注入的相关原理及其区别介绍

半导体改变电阻率的方式有三种,原位掺杂、扩散和离子注入,这三种方式分别过程如何,有何区别呢?
2024-01-05 18:21:111111

离子注入涉及到的隧道效应为什么需要7°角?

隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42419

离子注入中的剂量和浓度之间有何关系呢?

对器件设计工程师来讲,离子注入的浓度往往是需要关心的参数,什么样的浓度对应什么样的方阻,器件仿真参数输入的是浓度,通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581

介绍离子注入在电容极板和湿法腐蚀自停止威廉希尔官方网站 上的应用

在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中,离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181

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