与湿法蚀刻相比，等离子蚀刻的一个主要优点是能够获得高度定向（各向异性）的蚀刻工艺。
2021-10-07 15:51:00
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摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，还可以消除包含特征的蚀刻金属
2021-12-27 14:45:132567 
硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种
2022-03-08 14:07:251769 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。
2022-05-06 15:49:501012 
或InAsSb材料用于彼此相对的蚀刻停止层，但是不希望其独特的II型破碎带隙对准的器件需要具有良好选择性的GaSb和AlGaAsSb之间的新的选择性湿法蚀刻剂。这里描述的所有湿法化学和干法蚀刻工艺都使用n型GaSb衬底进行了优化。
2022-05-11 14:00:421025 
引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期威廉希尔官方网站
开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AIO蚀刻直接限定了沟槽和通孔的形状，然而，包括层间介电膜的沉积、金属硬掩模和湿法清洗的那些先前的工艺
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽检查 对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓，无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能，对横截面进行SEM检查，以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度
2022-06-10 16:09:335071 
在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何威廉希尔官方网站
，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中有详细描述，一旦掩模就位，可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻，图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522869 
本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅，以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:161095 
本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素
2022-07-12 14:01:131365 
本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定
2022-07-13 16:55:042263 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻威廉希尔官方网站
的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062775 
传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光威廉希尔官方网站
的支撑，可以满足从 0.13um至7nm 共9个威廉希尔官方网站
节点的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161256 
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻威廉希尔官方网站
。
2021-01-09 10:17:20
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蚀掉,称为蚀刻。要注意的是,这时的板子上面有两层铜.在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-11-26 16:58:50
目前，印刷电路板（pcb）加工的典型工艺采用“图形电镀法”.即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。PCB蚀刻工艺
2018-09-13 15:46:18
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019^晶体蚀刻工艺中两个蚀刻步骤中的第一个用于确定蚀刻深度，它可以通过几种
2021-07-07 10:24:07
黄金。以上只是基于实验的基础，实验设备也比较简陋，如果再结合湿法清洗设备进行蚀刻工艺，效果会有明显的提高，南通华林科纳半导体设备有限公司生产的湿法清洗设备能在各方面满足要求，使清洗达到事半功倍的效果。 如有侵权，请联系作者删除
2021-07-09 10:23:37
的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺更改，这使得这项工作成为必要。首先，我们从 Clariant AZ4330 光刻胶切换到 Shipley SPR220-3。我们发现后者的光刻胶具有更好的自旋均匀性
2021-07-06 09:39:22
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蚀刻的种类要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-04-05 19:27:39
操作，并具备对PECVD或LPCVD工艺优化的能力； 4、 熟悉光刻工艺、湿法刻蚀；离子蚀刻(RIE, ICP etc)者优先;5、熟悉计算机操作，具备相关专业英语阅读能力； 6、工作认真细致、有
2012-12-19 22:42:16
。蚀刻工艺对设备状态的依赖性极大,故必需时刻使设备保持在良好的状态。【解密专家+V信：icpojie】 目前﹐无论使用何种蚀刻液﹐都必须使用高压喷淋﹐而为了获得较整齐的侧边线条和高质量的蚀刻效果
2017-06-23 16:01:38
实例是用臭氧而非大量硫酸和过氧化氢取代湿法蚀刻工艺。虽然该项目是由一个制造厂发起的，但在分享这主意和在化学品消耗、环境影响、工作更安全等的成果后，多个其他厂也采用了。
2018-10-26 08:53:09
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 一.蚀刻的种类 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
纳米磁性薄膜材料的湿法工艺冯则坤，何华辉关键词：纳米薄膜，磁性材料，电镀摘 要：介绍了纳米磁性薄膜材料特性、类型，综述了近年来兴起的湿法工艺及其用湿法
2010-02-07 16:42:46
37 超细线蚀刻工艺威廉希尔官方网站
介绍
目前，集成度呈越来越高的趋势，许多公司纷纷开始SOC威廉希尔官方网站
，但SOC并不能解决所有系统集成的问题，因
2010-03-30 16:43:081181 有效低达到“无蚀刻痕”，并拥有一大特色，即经济的、高产出的湿法蚀刻工艺所达到无蚀刻痕的图案化。针对直接图案化制程，喷墨式的产品正在开发中。“
2016-11-14 11:09:581708 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。
2017-12-26 08:57:1628238 本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点，其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认，最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解，具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前，印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。
2019-08-16 11:31:004647 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺
2019-07-10 15:11:352710 
要注意的是，这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀，其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个
2019-07-08 14:51:342432 
目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。
2019-07-01 16:33:532425 
目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。
2019-07-06 10:13:218088 目前，印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用”图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化 学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。
2019-07-09 10:09:343924 PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟，是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分，正片工艺使用固定的锡保护线路，负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线路。用传统的蚀刻方法到线或焊盘的边缘是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 ，从正式装机到应用于产品片生产，只用了18天的时间，原定一年的验证期仅用6个月即顺利完成验收。 图片来源：盛美半导体设备 据悉，盛美新款12英寸单晶圆薄片清洗设备，是一款高产能的四腔体系统，用于超薄片的硅减薄湿法蚀刻工艺，以消除晶
2021-01-14 09:32:002503 年 5 月 20 日作为首批设备之一搬入工厂，从正式装机到应用于产品片生产，只用了 18 天的时间，原定一年的验证期仅用了 6 个月即顺利完成验收。 IT之家获悉，盛美新款 12 寸单晶圆薄片清洗设备，是一款高产能的四腔体系统，用于超薄片的硅减薄湿法蚀刻工艺，以消除晶圆应
2021-01-14 16:12:501940 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的 100 表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:55:35484 
引言 通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构
2022-01-04 17:15:35633 
蚀刻的湿法蚀刻威廉希尔官方网站
的方法。本文分析了玻璃湿法刻蚀工艺的基本要素，如:玻璃成分的影响、刻蚀速率、掩膜层残余应力的影响、主要掩膜材料的表征、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。通过分析的结果，提出了一种改进的玻璃深度湿
2022-01-19 16:13:401873 
本研究透过数值解析，将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法，了解目前蚀刻阶段流动的形式，并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动，通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:32340 
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
2022-01-20 16:02:241862 
的组成，我们研究了两种类型的晶体表面形态，抛光和钝化的薄膜，形成后的化学动态(CDP)和/或化学机械抛光(化学机械抛光)在溶液中，饱和的溶剂和氧化剂，结果发现，在抛光蚀刻剂中，CDP和CMP工艺均能形成
2022-02-14 16:47:05448 
本文对单晶石英局部等离子体化学刻蚀工艺的主要工艺参数进行了优化。在射频(射频，13.56兆赫)放电激励下，在CF4和H2的气体混合物中进行蚀刻。采用田口矩阵法的科学实验设计来检验腔室压力、射频发生器
2022-02-17 15:25:421804 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺
2022-02-22 13:47:511696 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
的氧化镍未完全去除造成的。这项研究对这些多余金属缺陷的成分进行了分类和确定，评估了推荐的去除氧化镍的湿蚀刻方法，最后提出了一种湿蚀刻工艺，该工艺将快速去除缺陷，同时继续保持所需的半各向异性蚀刻轮廓，这是大多数金属
2022-02-28 14:59:351780 
各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上产生由（ 100）和（111）平面组成的孔。在这种情况下，孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面，则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:14372 
提高10倍的吞吐量。 虽然大多数公司使用干式蚀刻工艺来创建图案表面，但干式蚀刻的缺点并不小，包括加工设备的成本高，吞吐量低，扩展性差等等。 这种不利因素促使许多人重新燃起对湿法蚀刻的兴趣。历史上，标准
2022-03-08 13:34:36528 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43337 
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:581136 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究，多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化工艺
2022-03-25 16:33:49516 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比，应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺
2022-04-21 12:27:43589 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670 
本文提出了基于溅射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金属多层膜在热王水中湿法腐蚀Pt薄膜的简单制备方案，铬(Cr)或钛(Ti)用作铂的粘附层，Cr在Pt蚀刻过程中被用作硬掩模层，因为它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
半导体器件的制造工程已使光电仪器、激光二极管和无线通信设备以及许多其他现代设备成为可能。从巴丁、布里泰因和肖克利1947年在贝尔实验室发明晶体管，到大约十年后基尔比和诺伊斯推出集成电路，半导体器件极大地推动了计算和电子工业的发展。
2022-06-01 17:23:291718 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺，适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明，蚀刻速率主要取决于Cl浓度，而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14904 
的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化，这些威廉希尔官方网站
需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析，如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻威廉希尔官方网站
)、离子铣削和微切割，但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE威廉希尔官方网站
更具重现性。
2022-06-20 16:38:205220 
和蚀刻残留物。开发的最终工艺产生了具有大约80度的单斜面侧壁轮廓的穿过衬底的通孔，该通孔清除了蚀刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57516 
本文报道了InGaP/GaAsNPNHBTs在喷雾湿化学蚀刻过程中修复光刻胶粘附失败的实验结果。我们确定了几个可能影响粘附性的因素，并采用实验设计(DOE)方法研究了所选因素的影响和相互作用。最显著
2022-06-29 11:34:590 本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
50纳米，4，5，尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454 
蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592998 
蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的威廉希尔官方网站
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可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07887 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331005 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12701 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31576 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
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材料，耐高温耐酸碱耐湿胶带，高分子材料，高端胶粘剂引言：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的威廉希尔官方网站
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可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163505 
PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431014 半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223 
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57813 
要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12475 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30671 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45264
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