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2022年11月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子
(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
贸泽电子供应的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至30Ω，连续漏电流范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101标准。
高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V至900V，漏-源电阻范围介于77mΩ至4.68Ω，持续漏电流范围介于1A至54.9A。这些器件的最低工作温度为-40°C，功耗范围介于5W至500W。
贸泽分销的英飞凌通用MOSFET提供多种封装选项，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有这些器件都有配套的英飞凌在线设计工具、仿真模型和全面的产品支持文档。
这些通用MOSFET非常适合各种电源转换和管理应用，可以集成到需要电池反向保护功能、在备用电源之间切换电源或可关闭非必要负载的设计中。其目标应用包括开关电源、充电器和适配器、照明、电视电源、服务器/电信设备、电池供电应用、电机控制和驱动器，以及电池管理系统。
有关更多信息，请访问https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/。
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
- 英飞凌(136806)
- 贸泽电子(95693)
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2020-05-09 15:07:504267
4267SiC MOSFET在电源转换器设计中的优化方案
作者：英飞凌科技资深高级工程师René Mente 谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）威廉希尔官方网站
是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些
2021-03-25 17:26:082117
2117英飞凌新品：采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695
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英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073
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半桥LLC谐振转换器中Si和SiC MOSFET的比较
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44:201207
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面向通用交流输入和5V/1.4A输出的MOSFET集成PSR反激参考设计
电子发烧友网站提供《面向通用交流输入和5V/1.4A输出的MOSFET集成PSR反激参考设计.zip》资料免费下载
2022-09-06 09:26:170
0电平转换以控制功率MOSFET
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个功率MOSFET，并增加一些电平转换电路。
2023-02-09 12:07:58536
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贸泽电子开售面向无线音频应用的 英飞凌MA2304xN MERUS多级开关放大器
2023 年 4 月 4 日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的MA2304xN MERUS™多级开关
2023-04-04 14:29:25438
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如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005290
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贸泽开售面向安全应用的英飞凌OPTIGA Trust M物联网安全开发套件
2023 年 5 月 11 日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货英飞凌的OPTIGA™ Trust M物联网安全
2023-05-12 17:05:36443
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英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302
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英飞凌EiceDRIVER™威廉希尔官方网站 以及应对SiC MOSFET驱动的挑战
碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212
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英飞凌推出首款采用OptiMOS 7威廉希尔官方网站 的15 V沟槽功率MOSFET
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 威廉希尔官方网站
的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项威廉希尔官方网站
经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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英飞凌推出新一代碳化硅威廉希尔官方网站 CoolSi MOSFET G2
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站
的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125
125英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的威廉希尔官方网站
创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297
97英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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