8050的情况下，补码通常是8550。8050和8550晶体管的威廉希尔官方网站
额定值通常是相同的。区别在于它们的极性。它们共同允许电流安全地流过无线电和无线电，从而为传输提供动力，并允许在用户端实现多种功能
2023-02-16 18:22:30
为大家奉上GP,multisim对双极性晶体管模型进行模拟分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路英国威廉希尔公司网站
的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。1.双极性晶体管双极性晶体管，英语名称为Bipolar Transistor，是双极性结型晶体管的简称
2016-06-29 18:04:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
，故稳定性较好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作为主要参数。(6) 集电极反向电流ICBOICBO是指晶体管发射极开路时的集电极反向电流。晶体管的ICEO约为ICBO的β倍，故ICEO要明显大于ICBO。(7) 特征频率FT FT越高，晶体管的高频性能越好，也就是可工作的频率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相同，通过给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极
2018-11-28 14:29:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极
2020-06-09 07:34:33
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路，应注意以下几点： （1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
晶体管进行举例。如果是PNP型晶体管，则只要把晶体管的极性由正换成负就行。如果要从基极电流、集电极电流、发射极电流的组成、流动，PN结的能级等等方面来讲清晶体管的放大机理，就更复杂了。这在许多专业
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
分别连接每个并联晶体管，再同时与传统硅晶体管的标准驱动器连接。并联的几个晶体管只需要一个隔离型驱动器，例如隔离型EiceDRIVER™1EDI20N12AF，使用源极（OUT +）和漏极（OUT-
2021-01-19 16:48:15
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
MOS管，还有其他的电子元件。实际上场效应晶体管可以分为结型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的基极上加一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中，基极增加了一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
的比例关系。2）偏置电路 当晶体管用于实际的放大电路时，还需要添加合适的偏置电路。这有几个原因。首先，由于晶体管的BE结（相当于二极管）的非线性，输入电压达到一定水平后必须产生基极电流（对于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 编辑
ROHM 2Sx双极结型晶体管（BJT）设计用于工业和消费类应用。 这些BJT有PNP和NPN两种极性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
行业真正的“领头羊”？一、三极管定义：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管
2019-04-08 13:46:25
类型。
双极结型晶体管(BJT)
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管（与 FET 晶体管不同）是电流控制器件。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括：在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化（如电源或温度）的影响。
2021-02-24 06:24:07
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半导体材料是双极性晶体管晶体管(BJT)的基础之外，光电晶体管的功能也是类似的。一个光敏晶体管被描述为一个去掉基极端子的 BJT，箭头暗示基极对光敏感。本文中的其他图只描述了
2022-04-21 18:05:28
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
的两种主要类型是什么？晶体管基本上分为两种类型;它们是双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT再次分为NPN和PNP晶体管。5.晶体管有多少种？两种类型晶体管有两种类型，它们在电路中
2023-02-03 09:32:55
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
变化3至5倍。这导致并联工作的BJT中的热不稳定性，因为即使两个晶体管及其相关的基极电阻完全相同（这是不可能的），它们之间的任何微小温差都会导致其中一个开始传导更大部分的共用电流，它会使它变得更热，并
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar juncTIon transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比
2019-05-08 09:26:37
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
。对于NPN，它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管，因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中，一个小输入双极结型晶体管（BJT）晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
会发生相反的反应。然后，这种偏置方法称为自偏置，利用这种类型的反馈偏置网络，晶体管的稳定性通常对大多数放大器设计都很好。双反馈晶体管偏置 通过增加流过基本偏置电阻器的电流，在先前配置的基本偏置网络中
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-08-19 04:00:00
直流电流增益率的关系式GI：数字晶体管的直流电流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2电压关系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
的比值，使其成为一个跨导器件，IGBT 也是如此。然后我们可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基极电流的功率 BJT。绝缘栅双极性晶体管可以用在小信号放大电路中，与 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
采用双极性晶体管的基准电源电路
2019-09-10 10:43:51
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
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2021-07-21 06:31:06
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