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电子发烧友网>电源/新能源>英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

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什么样的MOSFET才适合储能系统?英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET产品系列,帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014

英飞凌新品:采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET,导通电阻从30mΩ到350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695

英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过威廉希尔官方网站 革新,为高开关频率应用树立全新行业标杆

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念, 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立威廉希尔官方网站 新标准

英飞凌科技近日推出全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET威廉希尔官方网站 树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161650

英飞凌CoolGaN威廉希尔官方网站 开启电力电子新时代

英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅威廉希尔官方网站 与宽带对应威廉希尔官方网站 相结合。基于市场上已经推出的 CoolSiC™ 威廉希尔官方网站 ,英飞凌推出全新的 CoolGaN™ 解决方案,这些解决方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795

什么是OptiMOS MOSFET

OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特威廉希尔官方网站 的中低耐压 MOSFET 的商标,有多种耐压、RDS(on)、封装,适用于汽车和消费类应用。英飞凌功率半导体领域的市场占有率位居全球第一,特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053319

使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计

使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785

英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758

英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302

英飞凌推出OptiMOS 7威廉希尔官方网站 的40V车规MOSFET产品系列

采用OptiMOS 7 威廉希尔官方网站 的40V车规MOSFET产品系列,进一步提升比导通电阻,减小RDSON*A,即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON,或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装的MOSFET器件的产品阵容

全新OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS威廉希尔官方网站 。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅威廉希尔官方网站 、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

采用150V OptiMOS功率MOSFET电机驱动评估板

OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一个M1连接器,用于连接iMOTION模块化应用设计套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7威廉希尔官方网站 的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 威廉希尔官方网站 的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项威廉希尔官方网站 经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飞凌推出新一代碳化硅威廉希尔官方网站 CoolSi MOSFET G2

在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站 的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125

英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站

在全球电力电子领域,英飞凌科技以其卓越的威廉希尔官方网站 创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日,该公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ,标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45209

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29126

英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站

英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131

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