为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:00
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MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
VCE的 dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过
2018-08-27 20:50:45
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑
2021-06-16 09:21:55
一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2020-06-28 15:16:35
数据。 在功率调节器电路中，比较了使用PrestoMOS时的损耗和传统的MOSFET与FRD组合的损耗。使用PrestoMOS时，削减了VF比FRD低的这部分的再生损耗。在电机驱动器电路例中
2018-11-28 14:27:08
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻
2017-03-06 15:19:01
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
这个损耗看成器件的感性关断损耗。3）开关损耗：开通损耗：考虑二极管反向恢复后：关断损耗：驱动损耗：十、功率MOSFET的选择原则与步骤1）选择原则：a.根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下
2021-08-29 18:34:54
；该区间内GS 电容继续放电直至零。因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形（1）：实验电路（2）：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形功率MOSFET的功率损耗公式（1）：导通损耗该公式对控制
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持威廉希尔官方网站
的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关损耗
2016-12-16 16:53:16
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
损耗由式(1)给出。 控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的，设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式(2a)和式(2b)给出，通过基极或栅极过电流驱动，确保由
2020-08-27 08:07:20
的功率损耗由式（1）给出。 控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的，设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式（2a）和式（2b）给出，通过基极或栅极过电流驱动，确保
2023-03-16 16:37:04
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗
2018-12-04 10:14:32
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
查考的事项，但如果从栅极驱动电路中消除了 LSOURCE 的影响，则根据 Figure 4 中说明的原理，开关速度将变快。关于关断，虽然不像导通那样区别显著，但速度同样也会变快。这就意味着开关损耗得到
2020-11-10 06:00:00
。电力场效应晶体管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它的一个显著特点是驱动电路简单，驱动功率小。其第二个显著特点是开关速度快，工作频率高，电力MOSFET的工作频率在下降时间主要由输入回路时间常数决定
2012-06-14 20:30:08
（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关，需要能够应对不断发展的市场的新型驱动和转换解决方案。由于其优异的热特性，SiC器件在各种应用中代表了优选的解决方案，例如汽车领域的功率驱动电路。SiC
2019-07-30 15:15:17
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2017-04-15 15:48:51
在功率电子（例如驱动威廉希尔官方网站
）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬
2020-10-29 08:23:33
注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
通期间的功率损耗由式(1)给出。控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的，设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式(2a)和式(2b)给出，通过基极或栅极过电流驱动，确保
2019-09-02 08:00:00
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管，TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路，请问怎么驱动MOSFET，，，加在栅极上的电压好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
。电压源驱动和电流源驱动在下文中分别称为VSD和CSD。 对于所有测试，都使用了主动米勒夹紧功能。对于分析，仅考虑了开启损耗。对功率器件进行了不同负载条件和不同开关速度的评估。图4显示了不同栅极电阻下
2023-02-21 16:36:47
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
仍然过高，有多种办法可以解决： 改变问题的定义。例如，重新定义输入电压范围。 改变开关频率以便降低开关损耗，有可能使用更大一点的、RDS（ON）更低的开关MOSFET。 增加栅极驱动电流，有可能
2021-01-11 16:14:25
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51:06
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
的平方而增加。大多数MOSFET是N沟道增强型，即通常关断，需要大约12V的栅极驱动，这很容易由标准IC提供。最小阈值电压介于 1 至 4 V 之间，可提供高达 500 V 的 P 沟道增强型MOSFET
2023-02-20 16:40:52
结构 引言 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号
2018-08-27 16:00:08
尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师对于MOSFET开关过程仍然有一些疑惑，本文先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
(1)给出。控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的，设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式(2a)和式(2b)给出，通过基极或栅极过电流驱动，确保由外部元器件而不是
2020-08-04 08:00:00
MOSFET，从电源IC的PWM输出的输出信号，但如果直接和MOSFET的栅极相接，反而无法获得最佳工作状态，必须配合电路和要求的特性进行调整。具体来说，就是将MOSFET的开关损耗和噪声优化。 分别
2018-11-27 16:58:07
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关
2018-06-05 09:39:43
功率器件损耗主要分为哪几类？什么叫栅极电荷？开关损耗和栅极电荷有什么关系？
2021-06-18 08:54:19
请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
通期间的功率损耗由式(1)给出。控制这个损耗的典型方法是使功率开关导通期间的电压降最小。要达到这个目的，设计者必须使开关工作在饱和状态。这些条件由式(2a)和式(2b)给出，通过基极或栅极过电流驱动，确保
2019-09-23 08:00:00
那里，因为电荷和电容是固定的。让 MOSFET 开关需要增加或消除足够的栅极电荷。隔离式栅极驱动器必须以高电流驱动MOSFET栅极，以便增加或消除栅极电荷，以减少功率损耗。公式1计算隔离式栅极驱动器将
2022-11-02 12:02:05
较高的高频电流，特别是在 MOSFET 开关期间。图 2：降压功率级和栅极驱动器的“剖析原理图”（包含感性和容性寄生元素）。有效高频电源回路电感 (LLOOP) 是总漏极电感 (LD)、共源电感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
。这可以减少开关功率损耗，提高系统效率。因此，驱动电流通常被认为是选择栅极驱动器的重要指标。与驱动电流额定值相对应的是栅极驱动器的漏源导通电阻(RDS(ON))。理想情况下，MOSFET完全导
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39:53
高于MOSFET两端的电压。由于对于相同的电流水平，P = I×V（其中P是功耗，I是电流，V是电压降），通过MOSFET通道的传导损耗显着低于通过体二极管的传导损耗。这些概念在电力电子电路的同步整流中发挥作用。同步整流通过用诸如功率MOSFET的有源控制器件代替二极管来提高这些电路的效率…
2022-11-14 07:53:24
摘要：介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的，从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182182 
理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44:242014 
关于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动威廉希尔官方网站
的 研究
2011-10-11 19:27:56186 为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了威廉希尔官方网站
依据。
2016-01-04 14:59:0538 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 UCC2752x 系列产品是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够高效地驱动MOSFET 和绝缘栅极型功率管(IGBT) 电源开关。
2016-07-22 15:38:230 大功率开关电源中功率MOSFET驱动威廉希尔官方网站
2017-09-14 09:55:0225 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 
Mosfet的损耗主要有导通损耗，关断损耗，开关损耗，容性损耗，驱动损耗
2020-01-08 08:00:0011 不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024 来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 中的功率消耗或损耗、发送到功率半导体开关 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驱动器 IC 和功率半导体开关之间的外部组件（例如外部栅极电阻器两端）的功率损耗。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512408 。功率MOSFET和IGBT具备隔离的栅极体，因此更容易驱动器。功率MOSFET的缺点是增益小，偶尔栅极驱动的电压甚至是少于实际要控制的电压。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具备低导通电阻和高速电源开关特性。适合于各种设备应用，如继电器电路和开关电源电路
2022-08-16 14:30:56791 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。
2022-11-28 15:53:05666 特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC必须将开关和传导损耗（包括导通和关断能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。
2023-02-09 10:19:18634 
说明：IGBT 功率器件损耗与好多因素相关，比如工作电流，电压，驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后（驱动电阻大小，驱动电压等），开关器件的损耗基本上
2023-02-22 14:05:543 本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。
2023-02-23 10:40:50428 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制器的栅极驱动输出，如图（1）如 图 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线
2023-02-24 10:45:172 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 
具体而言，大电流栅极驱动器可以通过最小化开关损耗来帮助提高整体系统效率。当 FET 打开或打开和关闭时，会发生开关损耗。要打开FET，栅极电容必须充电超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流有利于栅极电容
2023-04-07 10:23:291231 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 场效应管？
选择合适的栅极驱动器来匹配 MOSFET 对于设计最佳系统至关重要。错误的选择会不必要地增加 MOSFET 的开关损耗，从而降低系统效率。但也是一个错误的选择会大大增加噪声，可能会增加VS下冲、HO或LO尖峰，并且在极端，导致击穿，损坏 MOSFET 和
2023-07-24 15:51:430 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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